상세 설명

MOSFET 및 신개념 스위칭 소자 연구 MOSFET 소자의 급격한 크기 감소에 따라 발생하는 short-channel effect의 결과로 다양한 성능 저하 (Subthreshold swing값의 증가, 누설전류 증가, 소비전력 증가 등)의 문제점들이 발생됨. 본 연구실에서는 저전력 및 고효율의 특징을 갖는 신개념 스위칭전자소자인 tunneling field-effect transistor (TFET), feedback FET (FBFET), impact ionization FET (IFET)에 관한 연구를 진행하고 있음. 무기물 반도체 나노선/나노입자 기반의 단위소자 제작 기술을 바탕으로 플라스틱 기판 위에 무기물 반도체 나노선/나노입자 기반의 논리회로에 관한 연구를 진행하고 있음.

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