박진섭 교수 연구실
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204
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201
Growth of self-assembled nanosize InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in amorphous SiNx by metalorganic vapor phase epitaxy
Moon, YT, Kim, DJ, Park, JS, Oh, JT, Kim, YS, Park, NM, Kim, BH, Park, SJ
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003
202
Temperature dependence of photoluminescence of InGaN films containing In-rich quantum dots
Moon, YT, Kim, DJ, Park, JS, Oh, JT, Lee, JM, Ok, YW, Kim, H, Park, SJ
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001
203
실리카 나노구를 이용한 질화갈륨 발광다이오드의 빛 추출 향상에 관한 연구
박진섭
Journal of Light Emitting Diodes, 2014
204
Growth-temperature dependent property of GaN barrier layer and its effect on InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Moon, Y.-T., Lee, H.H., Noh, D.Y., Park, S.-J., Kim, D.-J., Park, J.-S., Oh, J.-T.
Journal of the Korean Physical Society, 2003
21