본 연구 목표를 달성하기 위해 아래와 같은 세부 연구 단계들을 계획함 1. 1차년도 연구목표: p-/n-유형 도핑에 따른 결정질 실리콘 구조에서의 광열화 현상 메커니즘 규명 - 도핑 유형과 도핑 원소에 따른 결정질 실리콘 구조에서 O2 분자와의 반응에 의한 광열화 현상 메커니즘 탐색 - 기존 연구에서 고려되지 않은 p-유형 도핑 원소(예: Ga, Al), n-유형 도핑(P 원소 도핑), 2가지 이상의 도핑 원소 조합을 고려할 예정이며, 다양한 구조의 시스템(벌크, 표면, 나노클러스터)도 고려할 예정임 ● 결정질 실리콘 구조와 O2 분자간 흡착 에너지 및 전자 구조 변화 탐색 ● 실리콘 원자 또는 도핑 원자와 O2 분자간 반응 메커니즘 탐색 ● 전자-홀 재결합 탐색 ● H2O 분자에 의한 광열화 현상 촉진 여부 탐색 2. 2차년도 연구목표: 유·무기물 기반 페로브스카이트 구조에서의 광열화 현상 메커니즘 규명 - FAPbI3 기반 고효율 페로브스카이트 구조에서 O2 분자와의 반응에 의한 광열화 현상 메커니즘 규명 - 이종 원소 도핑(예: MA, Cs, Br)을 통해 구조 안정성을 향상시킨 FAPbI3 기반 페로브스카이트 구조를 고려할 예정이며, 다양한 구조의 시스템(벌크, 표면, 나노클러스터)도 고려할 예정임 ● 페로브스카이트 구조와 O2 분자간 흡착 에너지 및 전자 구조 변화 탐색 ● 페로브스카이트 구성 원자와 O2 분자간 반응 메커니즘 탐색 ● 전자-홀 재결합 탐색 ● H2O 분자에 의한 광열화 현상 촉진 여부 탐색