발행물
컨퍼런스
한국물리학회 2005
1970
,
Improved reliability of GaN-based light-emitting diodes by selective wet etching of p-GaN
제 30회 한국진공학회
Position dependence of Si delta doped layer in the barrier of InGaN/GaN single quantum well
제30회 한국진공학회 2006
A thermally - stable and highly - reflective AgAl alloy for GaN filp-chip light-emitting diodes
제33회 한국진공학회 하계정기학술대회
반극성 {11-22, 1-101}과 극성(0001) InGaN/GaN 다중양자우물구조의 광학적 특성 비교
InGaN 양자점 발광다이오드의 성능에 미치는 InGaN 양자점 크기의 영향