신창환 교수 연구실
연구실 정보 수정하기
홈
기본 정보
연구 영역
프로젝트
발행물
구성원
기본 정보
연구실
특허
수상
장비 및 시설
전체 특허
임의 변화를 최소화하는 디자인 파라미터 결정 장치 및 결정 방법(APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DESIGN PARAMETER CAPABLE OF MINIMIZING RANDOM VARIATION)
10-2016-0011256
2016.01
수직 구조 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법(VERTICALLY STRUCTURED TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)
10-2016-0011253
2016.01
RDF에 따른 임의 변화를 최소화하는 디자인 파라미터 결정 장치 및 결정 방법(APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DESIGN PARAMETER CAPABLE OF MINIMIZING RANDOM VARIATION BY RANDOM DOPANT FLUCTUATION)
10-2016-0011267
2016.01
반도체 장치(SEMICONDUCTOR DEVICE)
10-2015-0164373
2015.11
하이브리드 반도체 소자 및 하이브리드 반도체 모듈(HYBRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND HYBRID SEMICONDUCTOR MODULE)
10-2015-0070828
2015.05
하이브리드 반도체 소자 및 그 제조 방법(HYBRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)
10-2015-0063590
2015.05
전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터(FIELD ENHANCED TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
10-2015-0054211
2015.04
최악의 경우를 샘플링하는 SRAM 성능 마진 평가 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR ESTIMATION OF SRAM PERFORMANCE MARGIN USING WORST CASE SAMPLING)
10-2015-0002073
2015.01
대칭형 터널 전계 효과 트랜지스터의 임의 변화 최소화를 위한 디자인 파라미터 결정 장치 및 결정 방법(APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DESIGN PARAMETER CAPABLE OF MINIMIZING RANDOM VARIATION OF SYMMETRIC TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
10-2014-0156151
2014.11
강유전체를 이용한 네거티브 커패시터를 구비하는 트랜지스터 및 그 제조 방법(TRANSISTOR WITH NEGATIVE CAPACITOR USING FEROELECTRIC INSULATOR AND PROCESS FOR THE PREFERATION OF THE SAME)
10-2014-0133173
2014.10
1
2
3
4
5
6