ㅇ 본 과제는 3차원 형태로 고도화되는 반도체 공정에 적합한 AFM 기반의 전기적 특성 계측 검사 시스템 개발을 목표로 함.ㅇ 이를 위해 300mm Wafer 전 영역에서, 나노 구조의 전기적 특성 측정이 가능한 모듈 개발과 멀티 채널 측정 분석 알고리즘을 개발 및 통합화
ㅇ 본 과제는 3차원 형태로 고도화되는 반도체 공정에 적합한 AFM 기반의 전기적 특성 계측 검사 시스템 개발을 목표로 함.ㅇ 이를 위해 300mm Wafer 전 영역에서, 나노 구조의 전기적 특성 측정이 가능한 모듈 개발과 멀티 채널 측정 분석 알고리즘을 개발 및 통합화
패턴결함
원자현미경
전기적 특성화
반도체
검사 공정
3
2022년 6월-2026년 6월
|250,000,000원
반도체 공정용 In-Line AFM 기반의 전기적 특성 계측 / 검사 시스템 개발
ㅇ 본 과제는 3차원 형태로 고도화되는 반도체 공정에 적합한 AFM 기반의 전기적 특성 계측 검사 시스템 개발을 목표로 함.ㅇ 이를 위해 300mm Wafer 전 영역에서, 나노 구조의 전기적 특성 측정이 가능한 모듈 개발과 멀티 채널 측정 분석 알고리즘을 개발 및 통합화
패턴결함
원자현미경
전기적 특성화
반도체
검사 공정
4
주관|
2022년 6월-2026년 6월
|390,000,000원
반도체 공정용 In-Line AFM 기반의 전기적 특성 계측 / 검사 시스템 개발
본 과제는 반도체 제조 공정에서 사용되는 In-Line 원자현미경(AFM)을 기반으로 전기적 특성을 측정하고 결함을 검사하는 시스템을 개발하는 연구임. 이는 반도체 생산 라인에 직접 적용되어 미세하고 복잡한 반도체 소자의 전기적 성능을 정밀하게 분석하고 문제점을 찾아내는 기술 개발을 목표로 함.
연구 목표는 나노 패턴 전류 인가용 Probe Station의 소형화 개발, SPM Mode 자동 전환 Tip-Scanning 기술 개발, 그리고 Probe station 소형화 기구 설계 및 분석 알고리즘 컨셉 구성에 있음. 핵심 연구 내용은 Probe Station 소형화를 위한 액츄에이터 선정, SPM mode 자동 전환 가능한 Tip-Scanning Head 개발 및 통합 모듈 구축, 기준 샘플을 활용한 전기적 특성 평가를 포함함. 또한 시스템의 전기적 측정 노이즈 최적화, I-V 및 C-V 분석 알고리즘 개발, Driving 용 Probe Station의 정밀 구동 메커니즘 구축도 주요 내용임. 기대 효과는 FET, Flash 메모리 등 미세화된 반도체 소자의 복잡한 3차원 구조에 대한 전기적 특성 측정의 한계를 극복하는 것임. 본 기술은 Probe Station을 활용하여 Film의 비저항, 유전율, Defect Density 측정 및 Device Active 상태에서의 패턴 전기적 특성 측정 등 다양한 분석을 가능하게 함. 이는 반도체 결함 분석 및 수율 극대화에 기여하며, 미래 계측장비의 주류 기술로 발전할 것으로 전망됨.
본 과제는 반도체 제조 공정에서 사용되는 매우 작은 부품들의 전기적 특성을 정밀하게 측정하고, 결함 여부를 검사하는 시스템을 개발하는 연구임. 특히, 원자현미경(AFM)이라는 초정밀 현미경을 활용하여 생산 라인에서 바로 검사가 가능한 'In-Line AFM 기반 전기적 특성 계측/검사 시스템'을 구축하는 것을 목표로 함.
연구 목표는 2 Probe Station이 적용된 300mm AFM 기반의 반자동 전기적 특성 계측 시스템을 개발하고 평가하는 것임. 이를 위해 AFM 내부 취약 구조 보강, 노이즈 개선, Multi Probe station 구조 설계 및 시제품 제작을 포함함. 핵심 연구 내용은 나노 패턴 전류 인가용 Probe Station 소형화, SPM mode 자동 전환 Tip-Scanning Head 개발, 시스템 전기적 측정 노이즈 최적화, 그리고 Current Amp. Bias/Current Switching Module 및 AC Driving 기반 Capacitance 측정 모드 등 전기적 특성 측정용 모듈 및 컨트롤러 개발임. 또한, I-V, C-V 분석 자동화 SW와 Probe Station의 Pad Contact 검출 기능 개발도 포함됨. 기대 효과는 미세화, 고도화되는 3차원 반도체 구조에서 기존 AFM 측정의 한계를 극복하여 필름 비저항, 유전율, Defect Density, Device 활성 상태 전기적 특성, 패턴 간 Crosstalk 등을 정확하게 측정하는 데 있음. 이는 반도체 결함 분석 및 수율 극대화에 기여하며, 미래 계측 장비 시장에서 핵심적인 역할을 할 것으로 전망됨.