국내 반도체 패키징 산업 분야의 경쟁력 확보를 위한 혁신적 고급 석박사 인재 양성* 1년차 목표- 반도체공학과의 패키징 특화 분야 교육과 연구 활성화를 위한 인프라 확보- 반도체 패키징 특화 3대 교육 커리큘럼 개발- 기업 수요 반영 산학프로젝트 (5건 이상, 참여인원 20명 이상)*2년차 목표- 반도체 패키징 특화 3대 교육 커리큘럼 개발 및 체계 구축-...
반도체공학
고급인력양성
반도체 패키징 소재
반도체 패키징 공정
반도체 패키징 설계
3
주관|
2023년 2월-2027년 8월
|385,107,500원
미래 모빌리티용 시스템반도체 혁신인재 교육연구단
본 과제는 미래 모빌리티용 시스템반도체 인재를 키우고 산학 협력 연구 생태계를 만드는 융복합 프로그램임.
연구목표는 융복합 연구 생태계 조성 통한 초격차 기술 개발 달성임. 핵심연구내용은 미래 모빌리티용 시스템반도체 소재-소자 2-Track 교육과정 운영, 산업체 needs 반영 산학 맞춤형 교육/연구 기반 조성, 센서·에너지·디스플레이·지능형 시스템반도체向 소자 융합연구 특화 및 모빌리티용 시스템반도체 소재·소자 초격차 연구개발 기술 달성임. 기대효과는 교육-연구-기술개발-가치창출 선순환을 통한 센서 반도체·디스플레이 반도체·에너지(전력) 반도체·지능형반도체 원천기술 확보, 지역 중소기업·스타트업으로 기술 이전 및 창업역량 강화, 국제 공동연구 활성화임
8세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발
본 과제는 Ga 저감 산화물 TFT 소재를 만들어, 고성능 박막 트랜지스터 성능을 검증·향상하는 연구임.
연구 목표는 Ga 저감 신규 조성 분말 혼합 조건 도출(D50 기준 ≤ 10㎛)과 소결 기술 개발을 통해 상대 밀도 ≥97%, 순도 ≥99.95% 확보, TFT 성능에서 이동도 ≥20 cm2/Vs, ΔVTH ≤ ±2.0 V 달성에 있음. 연구 내용은 Bead mill·Spray dry 분말 공정, 소결 온도·분위기·유지시간 최적화, 4인치 타겟 제작 및 성형·비저항·결정립 평가, 박막 열처리 온도별 TFT 특성 데이터 확보와 후처리(열처리, DUV, plasma) 적용 후 XRR, XPS, AFM 분석 수행임. 기대 효과는 Ga 저감 산화물 TFT용 분말·타겟 공정 성능 최적화 및 절연체·후처리 공정 기반 소자 특성 향상에 있음.
8세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발
본 과제는 IGZO 조성 설계·분말·소결·타겟·TFT 소자 공정을 연계해 산화물 TFT 기초 성능을 확보하는 연구임.
연구 목표는 D50 기준 ≤ 10㎛ 분말 특성, 상대 밀도 ≥ 95%, 순도 ≥ 99.9% 소결체를 위한 IGZO 조성 소결 조건 도출 및 최적화, 그리고 Bottom gate 기반 Inverted staggered 소자 평가 기준 구축임. 핵심 연구 내용은 Spray Dry 조건으로 IGZO 구형 분말 관찰, 소결온도·유지시간·분위기 최적화 후 결정립사이즈·비저항·타겟 특성 분석, RGB laser 기반 illumination으로 광열안정성 baseline 구축, 2inch 스퍼터링 타겟 제작·IGZO 박막 증착(산소 분압, power)·TFT 이동도 및 신뢰성 평가 진행임. 기대 효과는 산화물 TFT 타겟 기초 물성 확보 및 소자 평가 특성 구현으로 2차년도 진행방향 설정 근거 제공됨.