강대환 연구실

반도체공학과
강대환

반도체공학과의 연구실은 최첨단 반도체 기술 개발을 목표로 다양한 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 4D 적층형 2T-0C DRAM 디바이스 개발과 원자층 증착(ALD) 기술을 활용한 뉴로모픽 디바이스 응용 연구에 주력하고 있습니다. 최근 3년간 다수의 논문 발표와 학회 발표를 통해 상변화 메모리의 신뢰성 및 성능 향상에 대한 연구 성과를 입증하였습니다. 또한, 칼코게나이드 반도체 기반의 차세대 메모리 소자 개발을 통해 저비용 고속 메모리 응용 분야에서도 두각을 나타내고 있습니다. 이러한 연구 활동을 통해 기업과의 협업을 통한 R&D 프로젝트 수행에 있어 높은 신뢰성과 전문성을 보유하고 있습니다.

4D Stackable 2T-0C DRAM

Phase Change Memory

Neuromorphic Devices

대표 연구 분야

연구 영역 전체보기

초박막 채널 FET 기반 4D 적층형 2T-0C DRAM 소자 개발

이 연구는 초박막 채널 FET를 이용한 4D 적층형 2T-0C DRAM 소자의 개발을 목표로 합니다. 초박막 채널 FET의 특성을 최적화하고, 이를 기반으로 2T-0C 소자를 제작하며 그 특성을 체계적으로 분석합니다. 이를 통해 고속, 저전력, 고집적의 차세대 메모리 소자를 구현하고자 합니다.

차세대 메모리 소자를 위한 신경형 소자 응용 연구

이 연구는 차세대 메모리 소자로서 신경형 소자의 응용 가능성을 탐구합니다. 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 기술을 이용한 OTS(옵틱컬 티셜레이티브 스위칭) 물질의 특성을 분석하고, 이를 기반으로 신경형 소자 제작 및 특성 분석을 수행합니다. 이러한 신경형 소자는 인공지능 및 신경망 시스템에서의 응용 가능성을 지니고 있습니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Modeling of data retention statistics of phase-change memory with confined- and mushroom-type cells

, 2016

Scaling of data retention statistics in phase change random access memory

, 2015

Emulation of spike-timing dependent plasticity in phase change memory with 39nm technology

, 2015