이 연구는 초박막 채널 FET를 이용한 4D 적층형 2T-0C DRAM 소자의 개발을 목표로 합니다. 초박막 채널 FET의 특성을 최적화하고, 이를 기반으로 2T-0C 소자를 제작하며 그 특성을 체계적으로 분석합니다. 이를 통해 고속, 저전력, 고집적의 차세대 메모리 소자를 구현하고자 합니다.

이 연구는 차세대 메모리 소자로서 신경형 소자의 응용 가능성을 탐구합니다. 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 기술을 이용한 OTS(옵틱컬 티셜레이티브 스위칭) 물질의 특성을 분석하고, 이를 기반으로 신경형 소자 제작 및 특성 분석을 수행합니다. 이러한 신경형 소자는 인공지능 및 신경망 시스템에서의 응용 가능성을 지니고 있습니다.