황철성 교수 연구실
프로젝트
정부 과제
73
1
2025년 3월-2027년 12월
|675,000,000원파운드리향 ACiM 소자의 설계 패러미터 도출 및 공정 개선안 연구
본 연구과제는 차세대 아날로그 인메모리 컴퓨팅(ACiM) 구현을 위한 1k급 1T1R 어레이 기반 반도체 개발을 목표로 함. 기존의 디지털 기반 연산 방식은 높은 전력 소모와 데이터 이동에 따른 병목 현상으로 인해 AI 연산 성능 및 효율성 개선에 한계가 있으며, 이를 해결하기 위해 메모리와 연산을 통합하는 ACiM 기술이 주목받고 있음. 이를 위해 소자-...
저항변화메모리
멤리스터
어레이
인메모리 컴퓨팅
파운드리
2
2025년 3월-2027년 12월
|900,000,000원파운드리향 ACiM 소자의 설계 패러미터 도출 및 공정 개선안 연구
본 연구과제는 차세대 아날로그 인메모리 컴퓨팅(ACiM) 구현을 위한 1k급 1T1R 어레이 기반 반도체 개발을 목표로 함. 기존의 디지털 기반 연산 방식은 높은 전력 소모와 데이터 이동에 따른 병목 현상으로 인해 AI 연산 성능 및 효율성 개선에 한계가 있으며, 이를 해결하기 위해 메모리와 연산을 통합하는 ACiM 기술이 주목받고 있음. 이를 위해 소자-...
저항변화메모리
멤리스터
어레이
인메모리 컴퓨팅
파운드리
3
2024년 4월-2029년 4월
|118,517,000원그래프 데이터의 물리적 표현에 기반한 고성능 그래프 컴퓨팅 하드웨어 개발
[연구 과제 최종 목표]신구조 크로스바 어레이와 캐패시터를 집적한 그래프 컴퓨팅 하드웨어 개발 및 이를 이용한 고효율 그래프 분석, 비다항 난해 문제 해결, 그래프 뉴럴 네트워크 구현.[하드웨어 최종 목표]-캐패시터 어레이 집적된 100 x 100 그래프 하드웨어 제작 및 메모리와 그래프 처리 기능 구현-32 x 32 x 3 홀타입 수직형 그래프 어레이 제...
그래프 컴퓨팅
인-메모리 컴퓨팅
고집적 하드웨어
원자층 증착
그래프 뉴럴 네트워크
4
2023년 3월-2025년 12월
|177,360,000원원자층 증착법 기반 초격자 구조의 상변화 멤리스터 소재 및 소자 개발
[최종 목표] 초격자 구조 기반 고성능 상변화 멤리스터 소재/소자 개발 및 비파괴적 평가방법론 개발 [세부 목표] o 초격자 박막의 원자층 증착법 기술 개발 - 특정 결정 방향 배향성을 가진 Sb2Te3 layer (seed layer) 형성 조건 확보 - 원자층 증착법 기반 초격자 박막 증착 기술 개발 - 신개념 상변화 소재 물질 Mn...
상변화소재
초격자
원자층증착법
멤리스터
열전도도
5
주관|
2023년 3월-2025년 12월
|170,520,000원원자층 증착법 기반 초격자 구조의 상변화 멤리스터 소재 및 소자 개발
본 과제는 상변화 멤리스터를 더 빠르고 안정적으로 만들기 위해, 초격자 구조를 정밀 증착하고 구조·열 특성을 비파괴로 측정하는 기술을 개발하는 연구임.
연구 목표는 초격자 구조 기반 고성능 상변화 멤리스터 소재/소자 개발 및 비파괴적 평가방법론 구축임. 핵심 연구 내용은 Sb2Te3/GeTe 초격자구조 원자층 증착법(ALD)과 sub-cycle·seed layer 조건 제어, 초고속 펄스 레이저 기반 High-Throughput 구조·열특성 측정, MnTe 원자층 증착법, 열-전기 모델 및 열반사 현미경으로 3차원 온도분포·스위칭 메커니즘을 규명하는 평가기술임. 기대 효과는 신속·정확한 평가로 소자 개발 속도 가속, 소재·공정 최적화 및 대규모 데이터베이스 구축, 반도체 산업 경쟁력 확장에 기여하는 효과임.
상변화소재
초격자
원자층증착법
멤리스터
열전도도
프로젝트
- 2026년도 4월 기준으로 최신 업데이트된 정보입니다.
- 출처: NTIS를 기반으로 제공되었습니다.