홍상훈 교수 연구실
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Binary Content Addressable Memory
8400802
이진 내용 주소화 메모리
201010531699.6
바이너리 내용 주소화 메모리
10-1167272
데이터 손실을 최소화하는 바이너리 내용 주소화 메모리
10-1155120
데이터 손실을 최소화하는 터너리 내용 주소화 메모리
10-1147839
터너리 내용 주소화 메모리
10-1136578
무정값 검색이 가능한 바이너리 내용 주소화 메모리
10-1093426
원 신호와 복제 신호의 위상 차이를 판단하는 장치(Apparatus for estimating phase difference between original signal and duplicate signal)
10-1013680-0000
바이너리 내용 주소화 메모리
10-2010-0107432
Semiconductor memory device for simultaneously performing read access and write access
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