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백인환 연구실
인하대학교 화학공학과
백인환 교수
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백인환 연구실

인하대학교 화학공학과 백인환 교수

백인환 연구실은 원자층증착을 중심으로 산화물·금속 반도체 박막의 정밀 공정, p형 산화물 기반 박막 트랜지스터, 차세대 DRAM용 고유전 박막 및 전극 계면 제어 기술을 연구하며, 저온 공정·수직 집적·고성능 소자 구현을 위한 반도체 소재와 공정 플랫폼을 개발하는 데 주력하고 있다.

대표 연구 분야
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원자층증착 기반 반도체 박막 공정 thumbnail
원자층증착 기반 반도체 박막 공정
주요 논문
5
논문 전체보기
1
article
|
인용수 28
·
2022
Cross-linked structure of self-aligned p-type SnS nanoplates for highly sensitive NO<sub>2</sub> detection at room temperature
Young Geun Song, In‐hwan Baek, Jaegyun Yim, Taeyong Eom, Taek‐Mo Chung, Chul‐Ho Lee, Cheol Seong Hwang, Chong‐Yun Kang, Seong Keun Kim
IF 9.5
Journal of Materials Chemistry A
A highly sensitive NO 2 gas sensor of p-type SnS operating at room temperature is developed using crosslinked SnS nanoplates self-formed only on SiO 2 nanorods, without an additional patterning process.
https://doi.org/10.1039/d1ta11014d
Nanorod
Materials science
Nanotechnology
Self-assembly
Optoelectronics
2
article
|
gold
·
인용수 38
·
2018
PI3Kδ contributes to ER stress-associated asthma through ER-redox disturbances: the involvement of the RIDD–RIG-I–NF-κB axis
Hyun Kyoung Kim, Geum-Hwa Lee, Kashi Raj Bhattarai, Raghu Patil Junjappa, Hwa-Young Lee, Mallikarjun Handigund, Anu Marahatta, Bidur Bhandary, In‐hwan Baek, Jae Sung Pyo, Hye Kyung Kim, Ok Hee Chai, Hyung‐Ryong Kim, Yong-Chul Lee, Han–Jung Chae
IF 12.9
Experimental & Molecular Medicine
Hyperactivation of phosphoinositol 3-kinase (PI3K) has been suggested to be a potential mechanism for endoplasmic reticulum (ER) stress-enhanced airway hyperresponsiveness, and PI3K inhibitors have been examined as asthma therapeutics. However, the regulatory mechanism linking PI3K to ER stress and related pathological signals in asthma have not been defined. To elucidate these pathogenic pathways, we investigated the influence of a selective PI3Kδ inhibitor, IC87114, on airway inflammation in an ovalbumin/lipopolysaccharide (OVA/LPS)-induced asthma model. In OVA/LPS-induced asthmatic mice, the activity of PI3K, downstream phosphorylation of AKT and activation of nuclear factor-κB (NF-κB) were all significantly elevated; these effects were reversed by IC87114. IC87114 treatment also reduced the OVA/LPS-induced ER stress response by enhancing the intra-ER oxidative folding status through suppression of protein disulfide isomerase activity, ER-associated reactive oxygen species (ROS) accumulation and NOX4 activity. Furthermore, inositol-requiring enzyme-1α (IRE1α)-dependent degradation (RIDD) of IRE1α was reduced by IC87114, resulting in a decreased release of proinflammatory cytokines from bronchial epithelial cells. These results suggest that PI3Kδ may induce severe airway inflammation and hyperresponsiveness by activating NF-κB signaling through ER-associated ROS and RIDD-RIG-I activation. The PI3Kδ inhibitor IC87114 is a potential therapeutic agent against neutrophil-dominant asthma.
https://doi.org/10.1038/emm.2017.270
Unfolded protein response
Endoplasmic reticulum
PI3K/AKT/mTOR pathway
Proinflammatory cytokine
Protein kinase B
Oxidative stress
Ovalbumin
Inflammation
Chemistry
Phosphorylation
3
article
|
인용수 28
·
2014
Dissolution and bioavailability of lercanidipine–hydroxypropylmethyl cellulose nanoparticles with surfactant
Eun-Sol Ha, Gwang-Ho Choo, In‐hwan Baek, Jung Soo Kim, Wonkyung Cho, Young Suk Jung, Su-Eon Jin, Sung‐Joo Hwang, Min‐Soo Kim
IF 8.5
International Journal of Biological Macromolecules
https://doi.org/10.1016/j.ijbiomac.2014.08.017
Lercanidipine
Bioavailability
Poloxamer
Dissolution
Polyethylene glycol
Pulmonary surfactant
Chemistry
Nanoparticle
Chromatography
Zeta potential
정부 과제
8
과제 전체보기
1
2025년 3월-2027년 12월
|368,412,000
적층형 CMOS 집적회로 구현을 위한 고성능 p형 신소재 및 신소자 시스템 개발
[최종목표]ㅇ 고성능 p형 신소재, 신소자 개발 및 집적 요소 기술 확보를 통한 수직 적층형 CMOS 집적회로 개발[1차년도 목표]ㅇ TG-BC 구조의 고성능 p형 및 n형 트랜지스터 개발ㅇ n형 및 p형 박막의 선택적 습식/건식 식각 기술 개발 ㅇ 산화가 제어된 고품질 p형 박막 소재 원자층증착 기술 개발 ㅇ 제 1원리 계산(DFT calculation)...
p형산화물
원자층증착
모노리식3D
수직집적
산화물반도체
2
2024년 2월-2029년 2월
|7,575,561,000
차세대반도체소재부품장비후공정전문인력양성
글로벌 경쟁력 확보를 위한 중소·중견기업 수요 연계 및 실무 중심형 반도체 소재·부품·장비 전문인력 양성- 석박사 교육과정개발 운영 : 차세대반도체 소재,부품,장비, 후공정 분야 연간 신규 110명 이상 양성- 산업계 수요를 반영한 산학 프로젝트 및 전문 교육과정 운영- 산학협력체계 구축 및 성과확산
반도체소재부품장비
반도체 후공정
인적자원
학위과정
3
2023년 8월-2026년 2월
|31,500,000
p형 산화물 반도체 박막의 점멸비/이동도 Trade-off 해결 전략
최종 목표 :산화가 구배 ALD 기술 및 결정립계 정공 산란 제어를 통한 M3D향 고성능 p형 트랜지스터 개발(정공 이동도 15 이상, 점멸비 10000000 이상)세부 목표 : 1. 원자층증착법으로 형성된 p형 SnO 및 Cu2O 박막 트랜지스터 공정 및 소자 stack 확보2. 산화가 구배 원자층 증착기술 적용을 통한 고이동도 & 고점멸비의 트랜지스터 ...
원자층증착법
박막
트랜지스터
최신 특허
특허 전체보기
상태출원연도과제명출원번호상세정보
거절2020영역 선택적 원자층 증착방법 및 그에 의해 제조된 박막1020200124564-
등록2017박막형 트랜지스터 채널 및 이를 이용한 박막형 트랜지스터1020170134730-
소멸1994다결정박막트랜지스터및그제조방법1019940036339-
전체 특허

영역 선택적 원자층 증착방법 및 그에 의해 제조된 박막

상태
거절
출원연도
2020
출원번호
1020200124564

박막형 트랜지스터 채널 및 이를 이용한 박막형 트랜지스터

상태
등록
출원연도
2017
출원번호
1020170134730

다결정박막트랜지스터및그제조방법

상태
소멸
출원연도
1994
출원번호
1019940036339