INTEGRATED SOLID-STATE DEVICES AND CIRCUITS LAB.

전기전자공학부 윤홍일

INTEGRATED SOLID-STATE DEVICES AND CIRCUITS LAB.은 전기전자공학부에 속한 연구실로, 저전력 DRAM, 초고속 메모리 시스템, 전압 기준 회로, 자체 테스트 기술 (BOST), 서버 온 칩 등 다양한 분야에서 활발한 연구를 진행하고 있습니다. 최근 3년간 삼성전자와의 전략적 산학 협력을 통해 저전력, 저전압 DRAM을 위한 고 신뢰성 전압 기준 회로 개발 및 초고속 메모리 시스템 장비 구조 개발 프로젝트를 성공적으로 수행하였습니다. 또한, 클라우드 컴퓨팅 향 통합형 서버 온 칩 시스템 연구와 차세대 반도체 테스트 핀 감소를 위한 BOST 기술 연구에서도 의미 있는 성과를 거두었습니다. 이러한 연구 결과는 다수의 논문 및 특허로 이어졌으며, 연구실의 높은 연구 역량을 입증하고 있습니다.

Low-Power DRAM

Voltage Reference Circuits

Built-Off Self Test (BOST)

대표 연구 분야

연구 영역 전체보기

저전력, 저전압 DRAM용 고 신뢰성 전압 레퍼런스 회로 개발

고속 및 고용량 메모리 시스템의 요구가 증가함에 따라 저전력, 저전압 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있는 전압 레퍼런스 회로의 개발이 중요합니다. 본 연구는 저전력, 저전압 DRAM을 위한 고 신뢰성 전압 레퍼런스 회로를 설계하고 최적화하는 것을 목적으로 합니다. 이 회로는 다양한 온도 및 전압 조건에서도 신뢰할 수 있는 전압을 제공하여 DRAM의 성능을 향상시키고 전력 소모를 최소화하는 데 중점을 둡니다. 이를 통해 차세대 메모리 시스템의 효율성과 안정성을 크게 높일 수 있습니다.

초고속 메모리 시스템(CK 8GHz DQ 16Gbps) 장비 구조 개발

메모리 시스템의 속도와 효율성을 극대화하기 위해 초고속 메모리 시스템 장비 구조를 개발하는 연구가 진행되고 있습니다. 특히 CK 8GHz, DQ 16Gbps의 속도를 지원하는 시스템 구조 설계에 집중하고 있습니다. 이러한 고속 메모리 시스템은 데이터 전송 속도를 획기적으로 향상시켜 고성능 컴퓨팅 및 빅데이터 처리에 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 본 연구는 고속 데이터 전송을 구현하기 위한 회로와 시스템 구조를 최적화하고, 이를 통해 차세대 메모리 시스템의 성능을 극대화하는 것을 목표로 합니다.

주요 논문

발행물 전체보기

High Speed Back-Bias Voltage (VBB) Generator with Improved Pumping Current

임태건, 이충근, 윤홍일

Electronics, 2020

A Negative Charge Pump Using Enhanced Pumping Clock for Low-Voltage DRAM

이충근, 임태건, 윤홍일

Electronics, 2020

Variation-Tolerant Sensing Circuit for Ultralow-Voltage Operation of Spin-Torque Transfer Magnetic RAM

조강욱, 윤홍일

IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2017

완료된 프로젝트

프로젝트 전체보기

[통합이지바로] 자동차향 시스템반도체 융합 인력육성 센터(1/2단계)(4/4)

한국연구재단

2024년 01월 ~ 2024년 12월

[민간/삼성전자 전략산학/4차년도/세부9] 저전력, 저전압 DRAM을 위한 고 신뢰성 voltage reference 회로 개발

국내

2023년 09월 ~ 2024년 09월

(879세부)초고속 메모리 시스템(CK 8GHz DQ 16Gbps) 장비 구조 개발(2/3)

한국반도체연구조합

2023년 01월 ~ 2023년 12월