주민규 연구실
숙명여자대학교 신소재물리학전공
주민규 교수
2D van der Waals 다층구조
접촉 저항
전하 수송
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주민규 연구실
숙명여자대학교 신소재물리학전공 주민규 교수
주민규 연구실은 신소재물리학전공 기반의 물리전자 연구를 수행하며, 2D van der Waals multilayers와 이종계면에서 접촉 저항, 층간 저항, 계면 트랩이 전하 수송과 저주파 잡음에 미치는 영향을 규명합니다. 수직 double-side contact 구조와 트랜스컨덕턴스 기반 분석으로 채널 마이그레이션을 해석하고, 저주파 잡음 및 산란 메커니즘을 통해 전하 요동의 지배 원인을 분리합니다. 또한 강유전체 양극성 및 쿨롱 끌기 기반 확률비트와 신경모사 소자를 개발하여 확률적 동작을 컴퓨팅 응용으로 연결합니다.
2D van der Waals 다층구조접촉 저항전하 수송저주파 잡음트랜스컨덕턴스
대표 연구 분야
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수직 더블사이드 접촉 기반 2D 적층 트랜지스터의 전하 수송 및 NDR 구현 연구
Charge transport control and NDR realization in 2D vdW multilayer transistors with vertical double-s
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수직 더블사이드 접촉 기반 2D 적층 트랜지스터의 전하 수송 및 NDR 구현 연구
Charge transport control and NDR realization in 2D vdW multilayer transistors with vertical double-s
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2D 이종계면 및 반도체에서 저주파 잡음·산란 메커니즘 규명 연구
Elucidation of low-frequency noise and scattering mechanisms in 2D heterointerfaces and semiconducto
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강유전체 양극성 및 쿨롱 끌기 기반 확률·신경모사 소자 연구
Probabilistic and neuromorphic devices based on ferroelectric bipolarity and Coulomb drag
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
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1
Article
|
·
인용수 0
·
2025Ideal Thickness in 2D van der Waals Multilayers with Vertical Double Side Contacts
Eunji Sim, Suin Seong, Yeongseo Han, Minji Chae, Taesoo Kim, Yu Jeong Jeong, Dahyun Choi, Hyejin Kim, Min Cheong, Changhyun Ko, Min‐Kyu Joo
IF 8.2 (2025)
ACS Applied Materials & Interfaces
두께가 4~244 nm 범위인 트랜지스터를 제작하였다. 캐리어 이동도, 도전율 및 높은 on/off 전류비를 포함하는 우수한 전기적 특성이 두께 8~10 nm에서 관찰되었으며, 이는 우리의 수치 계산과 매우 잘 일치하였다. 본 연구 결과는 2D vdW 다층 구조 기반 차세대 전자 트랜지스터의 발전에 유용한 통찰을 제공한다.
https://doi.org/10.1021/acsami.5c09352
Materials science
van der Waals force
Ideal (ethics)
Condensed matter physics
Quantum mechanics
Molecule
Physics
2
Article
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인용수 0
·
2025High-temperature negative differential resistance in tungsten diselenide multilayers without heterojunctions
Hyejin Kim, Taesoo Kim, Yeongseo Han, Minji Chae, Dahyun Choi, Eunji Sim, Suin Seong, Min Cheong, Ji Soo Kim, Eun‐Ji Choi, Changhyun Ko, Alessandro Cresti, Christoforos Theodorou, Min‐Kyu Joo
IF 10.7 (2025)
Materials Horizons
실온에서. 이러한 결과는 차세대 데이터 처리 및 저장을 위한 NDR 기반 다치 논리 소자의 개발을 촉진한다.
https://doi.org/10.1039/d5mh01078k
Tungsten diselenide
Materials science
Heterojunction
Diselenide
Tungsten
Differential (mechanical device)
Optoelectronics
Composite material
Nanotechnology
Metallurgy
3
Article
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인용수 14
·
2023Electrically tunable magnetic fluctuations in multilayered vanadium-doped tungsten diselenide
Lan-Anh Thi Nguyen, Jinbao Jiang, Tuan Dung Nguyen, Philip Kim, Min‐Kyu Joo, Dinh Loc Duong⧫, Young Hee Lee
IF 33.7 (2023)
Nature Electronics
https://doi.org/10.1038/s41928-023-01002-1
Condensed matter physics
Bistability
Materials science
Quantum tunnelling
Noise (video)
Magnetoresistance
Optoelectronics
Graphene
Physics
Nanotechnology
최신 정부 과제
4
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1
2025년 2월-2030년 2월
|272,404,000원양자 신경모사 소자를 위한 강유전체 양극성 확률 비트
#본 연구가 지향하는 최종 목표: 자기 터널 접합에서 제안된 P-Bit의 기초 개념을 양극성/반양극성 소재기반 강유전 전계 소자 구조에 적용하여 새로운 확률 컴퓨터 기초 단위 소자 공정 플랫폼을 제시하고 물리적 기계 학습 가능한 양자 신경 모사 소자를 개발함. #세부 연구 목표- 1차년도: 양극성/반양극성 소재 기반 자기 터널 접합 소자 확률 비트 공정 개...
확률비트
양극성 재료
강유전체
신경모사소자
무작위성
2
2023년 9월-2025년 9월
|11,250,000원동질 양극성 쿨롱 끌기 신경 모사 소자의 결함 역학 연구
최종목표: 동질 양극성 쿨롱 끌기 신경 모사 소자를 미래 양자 소자 플랫폼으로 제시하고, 쿨롱 끌림에 영향을 줄 수 있는 결함 역학을 연구하여 소자 신뢰성 향상 기초 연구 결과를 제공함.세부목표:1. 상부/하부 전하 거동 관측을 위한 양극성 다층 쿨롱 끌림 소자 제작/평가2. 전하 중성 영역의 전압/온도 의존성 평가: 쿨롱 끌림 동작 환경/조건 최적화3. ...
결함 역학
양극성
쿨롱 끌기
신경 모사 소자
저주파 잡음 분광법
3
2022년 2월-2025년 2월
|229,613,000원지능형 쿨롱 끌기 신경 모사 소자 개발
쿨롱 끌기 (Coulomb drag) 전계 소자 구조를 기반으로 무자기장 보손 (Boson) 입자의 존재 가능성을 실증하여 새로운 초유동/초전도 (Superfluidity/Superconductivity) 미래 양자 소자 플랫폼을 제안하고 엑시톤 (Exciton) 기반 지능형 신경 모사 칩 (Intelligent neuromorphic chip) 개발에 기...
쿨롱 끌기 소자
초유동
엑시톤 반전기
신경 모사 소자
전하 중성 영역
양극성 재료
최신 특허
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단일 물질 전자 소자
상태
등록출원연도
2021출원번호
10202101074082차원 물질을 이용하는 전자 소자
상태
등록출원연도
2021출원번호
1020210090401실시간으로 발광소자의 휘도 및 임피던스 그리고 잡음 특성의 동시 측정 시스템
상태
등록출원연도
2020출원번호
1020200026019