2차원(2D) 다층막의 두께에 따라 채널 이동이 이루어지는 현상은, 정전기 게이트 및 드레인 바이어스를 통해 높은 층간 장벽과 두께 의존적 캐리어 이동도를 그 원인으로 제시함으로써 이론적 및 실험적으로 입증되었다. 그러나 금속-2D 반도성 다층막 사이에서 접촉 저항이 크게 나타날 경우, 인접한 층 사이의 고유한 터널링 장벽에 더해 이러한 독특한 전하 운반(캐리어 수송) 특성이 현저히 억제된다. 본 연구에서는 WSe2 다층 트랜지스터의 두께 방향에 따라 수직 캐리어 밀도 프로파일 및 표면 트랩 밀도에 대해 강한 채널 접근(접속) 접촉 저항 효과가 나타남을 보고한다. 의사-옴(pseudo-ohmic) 거동을 보이는 제작된 상부 접촉 전극에서는, 트랜스컨덕턴스의 제2 미분값(dgm) 곡선에서 뚜렷한 이중 봉우리(double humps)를 관찰하였으며, 이는 드레인 바이어스(VD) 조건과 무관하게 WSe2 다층막의 c-축 방향으로 전도 채널이 이동함을 시사한다. 한편, 상대적으로 높은 접촉 저항 효과를 보이는 하부 접촉 전극에서는 dgm의 두 번째 봉우리가 오직 고 VD 영역(3.0 V ≤ VD)에서만 나타나며, 동일한 WSe2 다층막에서도 접촉 품질이 열악하여 채널 이동이 제한됨을 나타낸다. 우리는 상부 및 하부 전극을 연결하여 dgm 곡선에서 이러한 구별되는 특징을 추가로 확인함으로써 관측 결과를 지지하였다. 또한 저주파 잡음 측정을 수행하여 지지 절연층의 표면 트랩 밀도와 관련 캐리어 산란 메커니즘을 규명하였다. 본 연구는 WSe2 다층 트랜지스터에서 접촉 저항이 캐리어 수송 및 산란 메커니즘에 미치는 영향에 대한 유의미한 통찰을 제공하며, 소자 성능 및 접촉 품질의 최적화에 대한 단서를 제공한다.

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