열적 원자층 증착(thermal atomic layer deposition) 공정으로 제조된 소자들은 상보적(ambipolar) 거동을 보였으며, 뚜렷한 NDT 특성을 나타냈다. 이들은 페르미 준위 조절과 도핑 프로파일 전이로 인해 구동되며, 그 결과 정공 확산, 밴드-투-밴드 터널링, 그리고 전자 전도 사이의 전이를 지지한다. Te 트랜지스터 기반 3원(ternary) 인버터는 이진 “0”과 “1” 상태 사이에 명확한 중간 전압 상태를 포함하여, 세 가지의 안정적인 논리 상태를 성공적으로 시연하였다. 본 연구는 차세대 컴퓨팅 아키텍처에서 고데이터 밀도 및 에너지 효율적인 연산에 구현될 수 있는 Te 기반 NDT 트랜지스터의 잠재력을 부각한다고 생각한다.

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