반도체 소자 연구실은 전자공학과에 속해 있으며, 최신 반도체 소자 기술을 연구하고 있습니다. 주요 연구 분야는 강유전체 전계효과 트랜지스터(FeFET), 터널 전계효과 트랜지스터(TFET), 멤리스터, 핀펫(FinFET), 그리고 게이트 올 어라운드 MOSFET(GAA MOSFET)입니다. 최근 3년간 다양한 프로젝트와 연구 성과를 통해 뛰어난 연구 능력을 입증하였습니다. 예를 들어, 2022년에는 고유전체 물질을 절연층으로 적용한 금속-강유전체-절연체-금속 구조의 강유전체 터널 접합에 대한 분석을 발표하였고, 2023년에는 Al2O3 기반 듀얼-κ 스페이서 구조를 활용하여 GAA MOSFET의 열 특성과 온전류를 향상시키는 연구를 수행하였습니다. 또한, 2024년에는 2D 레이어드 팔라듐 디셀레나이드 이종구조 동적 멤리스터를 기반으로 한 인공 시냅스 연구를 통해 신경형 컴퓨팅 응용 분야에서 큰 성과를 거두었습니다. 이러한 연구 성과는 반도체 소자 연구실의 높은 연구 역량을 보여줍니다.