본 논문에서는 시냅스 소자(synapse device)로서 강유전 터널 전계효과 트랜지스터(ferroelectric tunnel field-effect transistor, FeTFET)를 시연한다. 실험 결과는 FeFET에 비해 FeTFET이 시냅스 소자로서 여러 가지 장점을 지님을 명확히 보여준다. 첫째, FeTFET은 서로 다른 캐리어 주입 메커니즘(즉, 밴드-투-밴드 터널링)으로 인해 FeFET보다 드레인 전류가 약 3자릿수 낮다. 둘째, 향상된 소거 효율(erase efficiency)로 인해 FeTFET의 메모리 윈도우(1.48 V)는 FeFET(0.95 V)보다 약 1.5배 크다. 그 결과, FeTFET은 FeFET(정확도 약 90.4%, 에너지 소비 4.06 mJ)과 비교하여 약 25배 낮은 에너지 소비(약 0.16 mJ)에서도 더 나은 학습 정확도(약 91.5%)를 보인다. 마지막으로, FeTFET은 약 107의 내구 특성(endurance characteristic)을 가지면서도 우수한 유지 특성(retention property, > 10년)을 나타낸다. 요컨대, FeTFET은 저전력 시냅스 소자에 대한 유망한 후보가 될 수 있다.

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