주요 특허
1T 디램 소자 및 그 제조방법
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등록출원연도
2020출원번호
1020200181814터널링 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법
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2018출원번호
1020180063433재구성 가능한 전계 효과 트랜지스터 및 재구성 가능한 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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2017출원번호
1020170090488독립된 듀얼 게이트의 핀펫 구조를 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
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2012출원번호
1020120052537역 스태거드 박막 트랜지스터 구조를 이용한 2비트 저항성 메모리 소자
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2011출원번호
1020110015241