3차원(3D) 적층 게이트 올 어라운드(Gate-All-Around, GAA) 나노시트(NS) 채널 구조는 기존 소자 구조의 스케일링 한계를 극복하기 위해 최신 통합회로 기술에 채택되었다. 그러나 채널 방출 과정에서 발생하는 기계적 응력은 채널 변형을 유발하며, 이는 높은 수율 측면에서 심각한 우려 사항이다. 본 연구에서는 기술 컴퓨터 지원 설계(Technology Computer-Aided Design, TCAD) 시뮬레이션을 사용하여 응력의 기원을 규명하고, 변형 없이 NS를 제작하기 위한 설계 지침을 제안하였다. 그 결과, 응력은 주로 활성 패드(active pads)와 NS 길이 비( Lpad / LNS )에 의해 결정됨을 확인하였다. 마지막으로 Lpad / LNS = 1인 조건으로 NS를 제작함으로써, 기계적 응력이 효율적으로 억제되어 변형을 방지할 수 있음을 입증하였다.

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