본 연구에서는 향상된 강유전 특성을 위해 Zr 전구체[즉, 테트라키스(에틸메틸아미노) Zr (TEMA-Zr) 및 사이클로펜타디에닐 트리스(디메틸아미노) Zr (Cp-Zr)]가 적층형 HfZrO(HZO)에 미치는 영향을 조사하였다. Cp-Zr로 제조한 적층형 HZO 박막은 더 높은 비율의 정방정상(t-phase)과 사방정상(o-phase)으로 인해 잔류 분극, 자발 분극 및 항자기장, 그리고 유전율에서 우수한 강유전성을 보인다. 따라서 TEMA-Hf/Cp-Zr 샘플은 동일한 박막 두께(즉, 동일 MW에서 박막 두께를 ~37% 감소 가능)에서 TEMA-Hf/TEMA-Zr 샘플에 비해 최대 ~1.6배 더 큰 메모리 윈도우(MW)를 나타낸다. 또한 TEMA-Hf/Cp-Zr 샘플은 더 낮은 누설 전류와 더 큰 항복 전압을 특징으로 한다. 이에 따라, TEMA-Hf/Cp-Zr 적층 구조의 FeFET은 향상된 전기적 특성을 바탕으로 멀티빗 동작에 적용될 수 있을 것으로 기대된다.

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