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167

161

A Vertical 4-Bit SONOS Flash Memory and a Unique 3-D Vertical NOR Array Structure
김윤, 김완동, 신형철, 이길성, 이정훈, 조성재, 윤장근, 박세환, 이동화, 김두현, 심원보, 박일한, 이종덕, 박병국
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 201001

162

Cone-Type SONOS Flash Memory
김윤, 박병국, 박일한, 이정훈, 이동화, 이종덕, 김두현, 조성재, 윤장근, 박세환, 김완동, 이길성, 신형철, 심원보
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 200912

163

A Gated Twin-Bit (GTB) Nonvolatile Memory Device and Its Fabrication Method
김윤, 박일한, 박세환, 신형철, 박병국, 조성재, 이종덕
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 200909

164

Independent Double-Gate Fin SONOS Flash Memory Fabricated With Sidewall Spacer Patterning
김윤, 이정훈, 이명락, 박일한, 박병국, 강대웅, 신형철, 이종덕, 윤장근
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 200908

165

3-Dimensional Terraced NAND (3D TNAND) Flash Memory-Stacked Version of Folded NAND Array
김윤, 이길성, 박일한, 박병국, 신형철, 조성재, 이종덕
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 200905

166

A 2-Bit Recessed Channel Nonvolatile Memory Device With a Lifted Charge-Trapping Node
김윤, 박병국, 김두현, 조성재, 이정훈, 이종덕, 윤장근, 이길성, 박일한
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 200901

167

Formation of Si-rich silicon nitride with low deposition rate by using LPCVD for nanoscale non-volatile-memory application
윤장근, 박일한, 조성재, 이정훈, 김두현, 이길성, 이종덕, 박병국, 김윤
Journal of the Korean Physical Society, 200712