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Temperature dependent characteristics of SiC Schottky Barrier Diode after Neturon Irradiation

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4H-SiC 기반 접합 장벽 쇼트키 다이오드 모델링

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4H-SiC 기반 Super-Juction 쇼트키 장벽 다이오드의 특성 연구

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4H-SiC 기반 DMOSFET의 시뮬레이션을 통한 최적화와 온도에 따른 특성 측정

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중성자 조사가 SiC Schottky diode의 온도 의존 특성에 미치는 영향