인하대학교 재료합성연구실은 정보 및 전자 분야에 특화된 고분자 소재의 개발에 주력하고 있습니다. 본 연구실에서는 고분자 재료의 분자 구조 설계와 합성, 그리고 이들의 전기적, 광학적 특성 제어를 통해 차세대 전자소자 및 정보기술 응용에 적합한 고성능 소재를 창출하고 있습니다. 특히, 고분자 반도체, 전도성 고분자, 그리고 다양한 기능성 고분자 복합체의 합성 및 특성 평가를 통해 새로운 전자소자 구현에 필요한 핵심 기술을 확보하고 있습니다. 이러한 연구는 고분자 재료의 미세구조 제어와 나노스케일 패터닝 기술을 결합하여, 트랜지스터, 센서, 메모리, 디스플레이 등 다양한 전자소자에 적용 가능한 고분자 기반 소재를 개발하는 데 중점을 두고 있습니다. 실제로, 고분자 혼합 이온-전자 전도체의 비평형 수송 현상, 고성능 투명 전극, 고유전율 절연체, 그리고 유연 전자소자용 고분자 복합체 등 다양한 응용 분야에서 우수한 성능을 보이는 소재를 선보이고 있습니다. 연구실은 또한 고분자 소재의 대량 합성 및 공정 최적화, 그리고 산업적 응용을 위한 신뢰성 평가에도 힘쓰고 있습니다. 이를 통해 차세대 정보/전자 산업의 요구에 부합하는 혁신적인 고분자 소재를 지속적으로 공급하며, 국내외 산학연 협력 및 기술이전에도 적극적으로 참여하고 있습니다.

본 연구실은 극자외선(EUV) 및 전자빔 리소그래피 공정에 적합한 고불소화 고분자 포토레지스트 소재 개발에 있어 국내외 선도적 위치를 차지하고 있습니다. 고불소화 고분자는 뛰어난 화학적 안정성과 우수한 용해 특성을 바탕으로, 미세 패턴 형성에 필수적인 고해상도, 저잔류, 저손상 특성을 동시에 구현할 수 있습니다. 연구실에서는 다양한 불소화 고분자 및 단분자 레지스트의 합성, 감광 특성 평가, 패턴 형성 메커니즘 분석 등 전주기적 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 고불소화 고분자 포토레지스트는 EUV 및 전자빔 조사 시 높은 감도와 우수한 패턴 품질(선폭, 패턴거칠기 등)을 확보할 수 있도록 분자 구조를 정밀하게 설계합니다. 또한, 고불소계 용제와의 상용성, 패턴 현상 및 제거 공정에서의 화학적 침해 최소화, 후속 열처리 불필요성 등 실용적 장점을 극대화하고 있습니다. 이를 통해 반도체, 디스플레이, 마이크로 OLED 등 첨단 소자 제조 공정에서 요구되는 미세 패턴 기술을 실현하고 있습니다. 연구실은 다수의 특허 출원 및 기술이전, 국내외 학술지 논문 발표, 산학협력 프로젝트 수행을 통해 고불소화 포토레지스트 분야의 기술적 혁신을 선도하고 있습니다. 또한, 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 고집적화, 고해상도화 요구에 대응하기 위한 신소재 및 공정 기술 개발에 지속적으로 매진하고 있습니다.