PARK LAB

전자공학부 박준영

PARK LAB는 전자공학부에 속한 연구실로, 반도체 소자의 신뢰성과 수율 개선을 위한 다양한 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 중수소 어닐링 기술을 활용한 반도체 소자의 성능 향상과 신뢰성 검증에 주력하고 있습니다. 최근 3년간 PARK LAB는 고압 중수소 열처리를 통한 실리콘 MOSFET 소자의 Gate Dielectric 신뢰성 개선, 저온 어닐링 공정을 통한 poly-Si TFT 반도체소자의 성능 및 신뢰성 향상, 내방사선 반도체소자 구현을 위한 시제품 제작 등 다양한 프로젝트를 성공적으로 수행하였습니다. 또한, 다수의 논문과 특허를 통해 연구 성과를 입증하고 있습니다.

Deuterium Annealing

Radiation-Hardened Semiconductor Devices

Low-Temperature Annealing

대표 연구 분야

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저온 중수소 어닐링을 통한 반도체 소자의 신뢰성 및 성능 향상

저온 중수소 어닐링 기술은 반도체 소자의 신뢰성과 성능을 향상시키기 위한 중요한 방법 중 하나입니다. 이 기술은 특히 poly-Si 채널 박막 트랜지스터, SONOS 소자, 그리고 SOI FinFET와 같은 다양한 반도체 소자에 적용되어 왔습니다. 저온에서 중수소를 사용하여 열처리함으로써 소자의 전기적 특성을 개선하고, 트랩 패시베이션과 같은 핵심적인 문제를 해결할 수 있습니다. 이는 특히 소자의 수명 연장과 신뢰성 확보에 중요한 기여를 합니다.

내방사선 반도체 소자의 개발 및 특성 분석

내방사선 반도체 소자는 극한 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 소자를 개발하는 것을 목표로 합니다. 방사선으로 인해 발생하는 손상을 저온 중수소 어닐링을 통해 복구하고, 이를 통해 소자의 성능을 유지하는 연구가 진행되고 있습니다. 이를 통해 방사선 환경에서 사용되는 다양한 전자기기의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있으며, 이러한 기술은 항공우주, 원자력 발전소, 군사 등 다양한 분야에 응용될 수 있습니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Low-Frequency Noise Characterization of Positive Bias Stress Effect on the Spatial Distribution of Trap in β-Ga2O3 FinFET

H. Bae, G. B. Lee, J. Yoo, K.-S. Lee, J.-Y. Ku, K. Kim, J. Kim, P. D. Ye, J.-Y. Park*, Y.-K. Choi*

Solid-State Electron., 2024

High-Pressure Deuterium Annealing for Trap Passivation for a 3D Integrated Structure

J.-W. Lee, J.-K. Han, D.-H. Wang, S.-Y. Yun, J.-S. Oh, B.-C. Bang, W.-H. Cha, J.-Y. Park, Y.-K. Choi*

IEEE Trans. Electron Devices, 2024

Low-Temperature Deuterium Annealing for High Performance and Reliable Poly-Si Channel Thin-Film Transistors

T.-H. Kil, J.-H. Kim, J.-Y. Ku, D.-H. Wang, D.-H. Jung, M. H. Kang, J.-Y. Park*

IEEE Trans. Electron Devices, 2024

완료된 프로젝트

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고압 중수소 열처리를 통한 실리콘 MOSFET 소자의 Gate Dielectric 신뢰성 개선

삼성전자

2022년 05월 ~ 2025년 04월

시스템 반도체소자 신뢰성 및 수율 개선을 위한 중수소 공정기술 개발

교육부

2023년 10월 ~ 2024년 09월

내고장성 (Fault-Tolerant) 차량용 반도체 소자기술 개발

과기부

2021년 06월 ~ 2024년 02월