저온 중수소 어닐링 기술은 반도체 소자의 신뢰성과 성능을 향상시키기 위한 중요한 방법 중 하나입니다. 이 기술은 특히 poly-Si 채널 박막 트랜지스터, SONOS 소자, 그리고 SOI FinFET와 같은 다양한 반도체 소자에 적용되어 왔습니다. 저온에서 중수소를 사용하여 열처리함으로써 소자의 전기적 특성을 개선하고, 트랩 패시베이션과 같은 핵심적인 문제를 해결할 수 있습니다. 이는 특히 소자의 수명 연장과 신뢰성 확보에 중요한 기여를 합니다.

내방사선 반도체 소자는 극한 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 소자를 개발하는 것을 목표로 합니다. 방사선으로 인해 발생하는 손상을 저온 중수소 어닐링을 통해 복구하고, 이를 통해 소자의 성능을 유지하는 연구가 진행되고 있습니다. 이를 통해 방사선 환경에서 사용되는 다양한 전자기기의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있으며, 이러한 기술은 항공우주, 원자력 발전소, 군사 등 다양한 분야에 응용될 수 있습니다.