유봉영 교수 연구실
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반도체장치의 전기적 배선 제조방법(Method of manufacturing electrical interconnection forsemiconductor device)
10-1999-0037314
1999.09
구리 배선층을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법(Semiconductor device having copper interconnection layer and manufacturing method thereof)
10-1999-0027248
1999.07
반도체소자의 금속 배선층 형성방법_( )
10-1998-0051865
1998.11
이온화된 박막형성 물질을 이용한 스퍼터링 방법
10-237692
1998.08
이온화된 박막형성물질을 이용한 스퍼터링 방법(SPUTTERING METHOD WITH IONIZING MATERIAL)
10-1998-0000542
1998.01
반도체 장치의 금속배선 형성 방법
9-349059
1997.12
반도체장치의 금속배선층 형성방법(Forming method for matal wiring layer of semiconductor device)
10-1996-0076995
1996.12
반도체장치의 비트라인 형성방법(A method for forming a bit line in a semiconductor device)
10-1996-0055053
1996.11
반도체장치의 제조방법(Fabricating method of semiconductor device)
10-1996-0047804
1996.10
반도체장치의 금속배선층 구조 및 그 형성방법(METAL WIRING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)
10-1996-0035892
1996.08
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