상세 설명

본 연구실은 3차원 나노스케일 트랜지스터의 설계, 제작 및 분석에 중점을 두고 있습니다. 나노미터 크기의 반도체 소자는 기존의 평면형 소자에 비해 집적도가 높고, 전력 소모와 동작 속도 측면에서 우수한 특성을 보입니다. 이를 위해 TCAD(Technology Computer-Aided Design) 시뮬레이션을 활용하여 소자의 동작 특성을 예측하고, 최적의 구조와 공정 조건을 도출합니다. 나노스케일 소자 연구는 반도체 산업의 미세화 한계를 극복하기 위한 핵심 기술로, 다양한 신소재와 구조적 혁신이 요구됩니다. 본 연구실에서는 실리콘 나노와이어, 이중 게이트 TFT, a-IGZO 등 다양한 소재와 구조를 적용한 트랜지스터를 개발하고, 이들의 전기적 특성 및 신뢰성 평가를 수행합니다. 또한, 소자 제작 공정의 미세 조정과 분석을 통해 실제 양산에 적용 가능한 기술을 확보하고 있습니다. 이러한 연구는 차세대 고성능, 저전력 반도체 칩 개발에 직접적으로 기여하며, 인공지능, 사물인터넷, 모바일 등 다양한 응용 분야에서 요구되는 고집적·고효율 반도체 소자 기술의 기반을 마련합니다. 미래 반도체 산업의 경쟁력을 확보하기 위해 지속적으로 혁신적인 소자 구조와 공정 기술을 탐구하고 있습니다.

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