상세 설명

본 연구실은 메모리 반도체, 특히 비휘발성 메모리(NAND Flash, RRAM, PRAM 등)와 이들을 활용한 인메모리 컴퓨팅(Processing-In-Memory, PIM) 기술 개발에 주력하고 있습니다. 빅데이터 시대에 정보 저장과 고속 데이터 처리가 필수적이기 때문에, 메모리 소자의 집적도와 성능 향상은 매우 중요한 연구 주제입니다. 본 연구실에서는 NAND 플래시 메모리, RRAM, CTF(Charge Trap Flash) 등 다양한 메모리 소자의 구조 설계, 제작 및 특성 분석을 수행하고 있습니다. 특히, 인메모리 컴퓨팅은 메모리와 연산 기능을 통합하여 기존 폰 노이만 구조의 병목 현상을 극복할 수 있는 혁신적인 기술로 주목받고 있습니다. 본 연구실은 커패시티브 커플링 기반의 전압 합산 연산, 아날로그 및 디지털 PIM 매크로, 임베디드 플래시 메모리 기반 로직 연산 등 다양한 인메모리 컴퓨팅 아키텍처를 제안하고, 실제 칩 제작 및 시스템 수준의 검증을 진행하고 있습니다. 또한, 메모리 소자의 신뢰성, 내구성, 에너지 효율성 향상을 위한 소재 및 공정 혁신도 병행하고 있습니다. 이러한 연구는 인공지능, 자율주행, 엣지 컴퓨팅 등 차세대 고성능 컴퓨팅 시스템의 구현에 필수적인 기반 기술을 제공합니다. 본 연구실은 산학협력 및 국가 연구과제를 통해 산업계와 긴밀히 협력하며, 미래 메모리 및 컴퓨팅 패러다임 전환을 선도하고 있습니다.

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