Nano-scale Semiconductor Device Laboratory (NSDL) 나노 반도체 소자 연구실

전자공학과 조일환

나노 반도체 소자 연구실(NSDL)은 전자공학과에 속한 연구실로, 차세대 필드 효과 트랜지스터(FET)와 나노 스케일 메모리 기술을 중심으로 연구를 진행하고 있습니다. 특히 3D 수직 NAND 플래시 메모리와 고온 작동 FET에 대한 연구는 최근 몇 년간 다수의 논문과 학술대회 발표를 통해 그 성과를 입증하고 있습니다. 예를 들어, 2023년에는 '다중 유전체 스페이서를 이용한 3D NAND 플래시 메모리 셀 전류 및 간섭 특성 개선'에 대한 연구를 발표하였으며, 이는 메모리 셀의 성능 향상에 크게 기여하였습니다. 또한, 터널링 FET와 신경모방 반도체, 스파이크 신경망 소자 및 회로에 대한 연구도 활발히 진행 중입니다. 이러한 연구 성과는 다양한 산업 분야와의 협력을 통해 실질적인 응용 가능성을 높이고 있습니다.

Tunneling FET

Neuromorphic Semiconductor

High Temperature Operation FET

대표 연구 분야

연구 영역 전체보기

3D Vertical NAND 플래시 메모리 셀 특성 개선

3D 수직 NAND 플래시 메모리 기술은 나노미터 수준의 반도체 소자를 연구하는 데 중요한 분야입니다. 셀의 전류 특성과 간섭 특성을 개선하기 위한 다양한 접근 방식이 연구되었으며, 다중 유전체 스페이서를 활용한 셀 특성 향상 및 전류 경로 제어 기술이 주요 연구 내용입니다. 이러한 연구는 메모리 셀의 성능 향상과 안정성 증대를 목표로 하고 있습니다.

고온 작동 CMOS 논리 소자 연구

고온 환경에서 안정적으로 작동할 수 있는 CMOS 논리 소자의 개발은 매우 중요한 연구 분야입니다. 특히, 고온에서의 전계 효과 트랜지스터(FET)의 특성을 조사하고, 이를 토대로 소자의 성능을 최적화하는 연구가 진행되고 있습니다. 이러한 연구는 산업용 및 극한 환경에서의 반도체 소자의 신뢰성을 높이는 데 기여할 것입니다.

주요 논문

발행물 전체보기

3D NAND Flash Memory Cell Current and Interference Characteristics Improvement With Multiple Dielectric Spacer

Yunjae Oh, Inyoung Lee, Yunejae Suh, Daewoong Kang, Il Hwan Cho

IEEE ACCESS, 2023

Device characteristics of the select transistor in a vertical-NAND flash memory

Daewoong Kang, Hyojin Park, Dae Hwan Kim, Il Hwan Cho

Japanese Journal of Applied Physics, 2023

Improvement of Cell Characteristics using Controlling the Current Path in 3D NAND Flash

Hyojin Park, Inyoung Lee, Il Hwan Cho, Daewoong Kang

Japanese Journal of Applied Physics, 2023