3D 수직 NAND 플래시 메모리 기술은 나노미터 수준의 반도체 소자를 연구하는 데 중요한 분야입니다. 셀의 전류 특성과 간섭 특성을 개선하기 위한 다양한 접근 방식이 연구되었으며, 다중 유전체 스페이서를 활용한 셀 특성 향상 및 전류 경로 제어 기술이 주요 연구 내용입니다. 이러한 연구는 메모리 셀의 성능 향상과 안정성 증대를 목표로 하고 있습니다.

고온 환경에서 안정적으로 작동할 수 있는 CMOS 논리 소자의 개발은 매우 중요한 연구 분야입니다. 특히, 고온에서의 전계 효과 트랜지스터(FET)의 특성을 조사하고, 이를 토대로 소자의 성능을 최적화하는 연구가 진행되고 있습니다. 이러한 연구는 산업용 및 극한 환경에서의 반도체 소자의 신뢰성을 높이는 데 기여할 것입니다.