나노 반도체 소자 연구실(NSDL)은 전자공학과에 속한 연구실로, 차세대 필드 효과 트랜지스터(FET)와 나노 스케일 메모리 기술을 중심으로 연구를 진행하고 있습니다. 특히 3D 수직 NAND 플래시 메모리와 고온 작동 FET에 대한 연구는 최근 몇 년간 다수의 논문과 학술대회 발표를 통해 그 성과를 입증하고 있습니다. 예를 들어, 2023년에는 '다중 유전체 스페이서를 이용한 3D NAND 플래시 메모리 셀 전류 및 간섭 특성 개선'에 대한 연구를 발표하였으며, 이는 메모리 셀의 성능 향상에 크게 기여하였습니다. 또한, 터널링 FET와 신경모방 반도체, 스파이크 신경망 소자 및 회로에 대한 연구도 활발히 진행 중입니다. 이러한 연구 성과는 다양한 산업 분야와의 협력을 통해 실질적인 응용 가능성을 높이고 있습니다.