신재철 연구실
동국대학교 전자전기공학부
신재철 교수
신재철 교수 연구실
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신재철 연구실
동국대학교 전자전기공학부 신재철 교수
본 연구실은 화합물 반도체와 고체전자공학을 기반으로 MOCVD 등 에피성장 기술을 활용한 III-V 반도체 소재, 저차원 나노구조, 광전자소자 및 차세대 전자소자 연구를 수행하며, 나아가 광전기화학 및 슈퍼커패시터용 나노전극 개발 등 에너지 응용까지 확장하는 융합형 반도체 재료·소자 연구를 추진하고 있다.
대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
화합물 반도체 에피성장 및 공정 기술
화합물 반도체 에피성장 및 공정 기술
저차원 나노구조 소재와 차세대 전자소자
광전자·광전기화학 소자와 에너지 응용 나노재료
주요 논문
3
논문 전체보기
1
article
|
인용수 0
·
2026MnO2-Pd integrated into NbP2O7 electrodes for hybrid supercapacitors
Aviraj M. Teli, Sonali A. Beknalkar, Vinayak Vitthal Satale, Rutuja U. Amate, Pritam J. Morankar, Muhammad Haris Khan, Manesh A. Yewale, Seong-ho Baek, Jae Cheol Shin
IF 13.2
Chemical Engineering Journal
https://doi.org/10.1016/j.cej.2026.174590
Supercapacitor
Electrode
Electrochemistry
Composite number
Current density
Power density
Electrical conductor
2
article
|
인용수 0
·
2026Boosting energy storage performance via electron pathway modulation in hierarchical NiCo oxide-sulphide hybrids
Aviraj M. Teli, Sonali A. Beknalkar, Ninad B. Velhal, Rutuja U. Amate, Pritam J. Morankar, Rushikesh P. Dhavale, Tukaram D. Dongale, Ho-Sung Kim, Jae Cheol Shin
IF 6.3
Journal of Alloys and Compounds
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187060
Energy storage
Electrode
Supercapacitor
Electrolyte
Electrochemistry
Capacitance
Electrochemical energy storage
Nanorod
Fabrication
3
article
|
인용수 49
·
2022Cobalt-based metal oxide coated with ultrathin ALD-MoS2 as an electrode material for supercapacitors
Sachin A. Pawar, Dipali S. Patil, Dip K. Nandi, Muhammad Monirul Islam, T. Sakurai, Soo‐Hyun Kim, Jae Cheol Shin
IF 13.2
Chemical Engineering Journal
https://doi.org/10.1016/j.cej.2022.135066
Supercapacitor
Materials science
Electrode
Ternary operation
Capacitance
Oxide
Chemical engineering
Atomic layer deposition
Electrochemistry
Graphene
정부 과제
11
과제 전체보기
1
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
가. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
나. TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
다. 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
2
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
- Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
- TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
- 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
3
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
가. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
나. TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
다. 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
최신 특허
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전체 특허
강도가 향상된 난연성 폴리에스테르 가연사의 제조방법
상태
취하출원연도
2018출원번호
1020180169776탈부착 형태의 헤드업 표시장치
상태
취하출원연도
2018출원번호
1020180020594섬유 코팅용 조성물 및 이의 제조방법
상태
등록출원연도
2016출원번호
1020160152191