Semiconductor Materials and Devices Laboratory
화학공학과 노용영
포항공대 SEMA 연구실은 차세대 반도체 소재 및 소자 개발을 선도하는 연구실로, 금속 할라이드 페로브스카이트, p형 금속 산화물, 2차원 층상 반도체 등 혁신적인 소재를 기반으로 한 고성능 전자 및 광전자 소자 연구에 집중하고 있습니다. 본 연구실은 저온·저비용 공정이 가능한 신소재를 활용하여, 기존 실리콘 기반 반도체의 한계를 극복하고, 차세대 CMOS 회로, 박막 트랜지스터, 유연 디스플레이, 차세대 태양전지 등 다양한 응용 분야에 적용 가능한 핵심 기술을 개발하고 있습니다.
특히, 금속 할라이드 페로브스카이트 반도체는 우수한 광전자 특성과 뛰어난 이동도를 바탕으로 태양전지, LED, 트랜지스터 등에서 탁월한 성능을 보여주고 있습니다. 본 연구실은 소재의 결정성, 표면 결함, 이온 이동 등 근본적인 물성 연구와 더불어, 주석 기반 친환경 페로브스카이트, 도펀트 제어, 대면적 공정 등 상용화에 필요한 다양한 기술을 개발하고 있습니다. 이를 통해 고성능, 고신뢰성, 저전력 소자 구현을 목표로 하고 있습니다.
또한, p형 금속 산화물 반도체와 2차원 층상 반도체 분야에서도 세계적인 연구를 수행하고 있습니다. p형 산화물의 정공 이동도 향상, 밴드갭 조절, 투명 전자소자 응용 등 다양한 연구를 통해 차세대 저전력, 고효율 소자 개발에 기여하고 있습니다. 2차원 반데르발스 소재는 유연 전자, 3차원 집적 회로, 뉴로모픽 소자 등 미래 지향적 응용 분야에서 중요한 역할을 하고 있으며, 본 연구실은 솔루션 공정, 계면 제어, 이종접합 설계 등 다양한 혁신 기술을 선보이고 있습니다.
이외에도, 본 연구실은 프린팅 기반 대면적 공정, 저온 합성, 유연 기판 적용 등 실용화 기술 개발에도 앞장서고 있습니다. 다양한 정부 및 산업체 과제를 수행하며, 국내외 특허와 논문, 기술이전 등 활발한 산학연 협력을 통해 반도체 산업 발전에 크게 기여하고 있습니다. 또한, 다수의 수상 경력과 국제 학술지 논문 발표, 특허 출원 등으로 연구의 우수성을 인정받고 있습니다.
SEMA 연구실은 앞으로도 차세대 반도체 소재 및 소자 분야에서 세계적인 경쟁력을 갖춘 연구성과를 창출하며, 지속적인 혁신과 융합 연구를 통해 미래 정보통신 및 에너지 산업의 패러다임 변화를 주도할 것입니다.
2D Layered Semiconductors
Perovskite Thin-Film Transistors
Perovskite Nanocrystals
금속 할라이드 페로브스카이트 반도체
금속 할라이드 페로브스카이트 반도체는 최근 차세대 반도체 및 광전자 소자 분야에서 혁신적인 소재로 주목받고 있습니다. 이 소재는 태양전지, 발광 다이오드(LED), 트랜지스터 등 다양한 광전자 소자에서 뛰어난 성능을 보여주고 있으며, 저비용·저온 공정이 가능하다는 점에서 기존 실리콘 기반 반도체를 대체할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 특히, 높은 이동도와 우수한 광흡수 특성, 밴드갭 조절의 용이성 등은 차세대 CMOS 회로 구현에 새로운 가능성을 제시합니다.
본 연구실에서는 금속 할라이드 페로브스카이트의 핵심 물성 규명과 소재 설계 최적화에 집중하고 있습니다. 소재의 결정성, 표면 결함 제어, 이온 이동 현상 등 다양한 물리적·화학적 특성을 심층적으로 분석하여, 고성능 p형 박막 트랜지스터 및 상보성 회로(CMOS) 응용을 위한 기반 기술을 개발하고 있습니다. 또한, 다양한 첨가제 및 도펀트 도입을 통해 소재의 안정성과 신뢰성을 높이고, 대면적 공정 및 상용화 가능성까지 고려한 연구를 진행하고 있습니다.
이러한 연구는 기존의 납 기반 페로브스카이트의 한계를 극복하고, 친환경적이고 상용화가 가능한 주석 기반 페로브스카이트 등 새로운 조성의 소재 개발로 이어지고 있습니다. 궁극적으로는 차세대 저전력, 고성능, 유연 전자소자 및 광전자 소자 구현을 목표로 하며, 관련 특허와 논문을 통해 국내외 반도체 기술 발전에 크게 기여하고 있습니다.
p형 금속 산화물 반도체 및 2차원 층상 반도체
p형 금속 산화물 반도체는 낮은 오프 상태 전류와 우수한 안정성으로 저전력 전자소자 분야에서 각광받고 있습니다. 그러나 산소 2p 오비탈의 전자 구조적 특성으로 인해 정공 이동도가 낮은 한계가 존재합니다. 본 연구실은 이러한 한계를 극복하기 위해 정공 이동도 향상, 밴드갭 제어, 온/오프 전류비 최적화 등 다양한 소재 및 소자 공정 기술을 개발하고 있습니다. 특히, 텔루륨 산화물(TeOx) 등 새로운 p형 산화물 소재의 합성 및 특성 분석을 통해 차세대 투명 전자소자, 디스플레이, 광전 소자 등 다양한 응용 분야로의 확장을 모색하고 있습니다.
더불어, 2차원 층상 반도체(2D van der Waals materials)는 원자 단위의 얇은 두께와 무결점 표면 구조로 인해 초소형 트랜지스터, 유연 전자소자, 3차원 집적 회로 등 미래 반도체 기술의 핵심 소재로 부상하고 있습니다. 본 연구실은 2D 반데르발스 소재의 솔루션 공정, 계면 제어, 이종접합 구조 설계 등 다양한 연구를 수행하며, 고이동도, 저접촉저항, 밴드갭 조절 등 소자 성능 극대화를 위한 혁신적인 접근법을 제시하고 있습니다.
이러한 연구는 대면적 프린팅, 저온 공정, 유연 기판 적용 등 실용화 기술과도 긴밀히 연계되어 있습니다. 또한, 2D 소재 기반의 뉴로모픽 소자, 센서, 차세대 메모리 등 다양한 융합 응용 연구도 활발히 이루어지고 있어, 미래 반도체 및 정보통신기술의 패러다임 전환을 선도하고 있습니다.
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Vapour-deposited high-performance tin perovskite transistors
Youjin Reo, Taoyu Zou, Taesu Choi, Soonhyo Kim, Ji-Young Go, Taewan Roh, Hyoungha Ryu, Yong-Sung Kim, Ao Liu*, Huihui Zhu*, Yong-Young Noh**
Nature Electronics, 2025
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Fabrication of high-performance tin halide perovskite thin-film transistors via chemical ...
Huihui Zhu* , Youjin Reo, Geonwoong Park, Wonryeol Yang, Ao Liu*, Yong-Young Noh **
Nature protocols, 2025
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Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors
Ao Liu, Yong-Sung Kim, Min Gyu Kim, Youjin Reo, Taoyu Zou, Taesu Choi, Sai Bai, Huihui Zhu, Yong-Young Noh**
Nature, 2024
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3차원 집적 시스템을 위한 단일 플레이크 2D 트랜지스터 개발
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[2024년]대학 창의적 자산 실용화 지원(BRIDGE3.0)사업
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할라이드 기반 이온성 반도체를 통한 고성능 TFT 개발