발행물
컨퍼런스
제7회 반도체조명학회
2013
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Limitation of the IQE Measurement by Temperature Dependent Electroluminescence
동작온도별 ideality factor 측정을 통한 재결합 메커니즘 분석
Ni-dot/Ag/Pt 구조의 고반사율 p-type 전극에 의한 InGaN 발광다이오드 광효율 개선
InGaN/GaN 다중양자우물 청색 발광다이오드의 결함밀도, 역 바이어스 발광 및 전기적 특성의 상관관계
InGaN청색 발광다이오드에서 물리적 특성들의 고온 온도 의존성