발행물
컨퍼런스
International Meeting in Information Display
2014
,
Variationm in Series Resistance under High Device Current in InGaN-Based Light-Emitting Diodes
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
Conduction Mechanism of Leakage Current under Reverse Biases in InGaN/GaN-Based Light-Emitting Diodes
Advanced Characterization Techniques of p-(Al)GaN Layers in GaN-Based Light-Emitting Diodes
제 10회 LED.반도체조명학회
InGaN 기반 White LED의 장시간 고온 노출에 따른 중심파장 변화 연구
InGaN/GaN LED에서의 온도의 증가에 따른 재결합 메커니즘 분석