본 연구는, 동일한 증착 조건에서 질화알루미늄(AlN) 버퍼층을 증착한 연마된 플래토-패턴 사파이어 기판(Polished Plateau-Patterned Sapphire Substrate, PP-PSS) 위에서 질화갈륨(GaN) 선택면적성장(selective-area growth, SAG)의 메커니즘에 관한 실험적 증거를 제시한다. PP-PSS의 플래토 영역에서만, 성장 사이클의 횟수와 무관하게 GaN의 SAG가 관찰되었다. 플래토 영역의 AlN 버퍼층과 이산화규소(SiO2) 사이의 차이를 규명하기 위해, 노출된 c-면 기판 위에 간접 시료를 증착하였다. 플래토 영역의 AlN 버퍼층은 더 높은 표면 에너지를 보였으며, 그 결정 방향은 AlN [001]로 나타났다. 반대로, 플래토 영역을 제외한 다른 영역은 결정성이 나타나지 않았고 더 낮은 표면 에너지를 나타냈다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 PP-PSS를 직접 분석한 결과는 간접 시료의 결과와 유사하였다. 따라서 동일한 조건에서 증착층의 GaN SAG는 결정성, 결정 방향, 그리고 표면 에너지와 관련된다.

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