본 과제는 녹색 LED의 밝기를 높이기 위해 InGaN 활성층 위에 나노구조 ZnO를 저온에서 성장시키는 새로운 방식의 LED 구조를 개발하는 연구임. 연구 목표는 InGaN의 열화와 phase separation을 억제하는 고품질 하이브리드 에피성장 기술 확보임. 핵심 내용은 MOCVD 기반 저온 ZnO 성장 조건을 제어해 nanorod ZnO/epilayer ZnO 구조를 형성하고 내부양자효율과 외부양자효율을 동시에 향상시키는 공정을 정립하는 것임. 기대 효과는 고휘도 녹색LED 구현을 위한 원천기술 확보, BLU광원 시장 경쟁력 강화, 관련 산업 및 인력 양성 촉진, 에너지 절감 및 친환경 조명 실현임.

(1) GaN on Si 고휘도 LED 칩 개발 - 칩 크기 : 0.3 mm x 0.3 mm - 출력 : 10mW@20mA (5φ lamp) - 작동전압 : < 3.5V@20mA - 주파장 : 460 nm +/- 5nm (2) GaN 기판을 이용한 GaN LED 칩 개발 - 칩 크기 : 0.3 mm x 0.3 mm - 출력 : 20mW@20mA (5φ la...