주요 논문
5
*2026년 기준 최근 7년 이내 논문에 한해 Impact Factor가 표기됩니다.
1
Article
|
·
인용수 0
·
2025Mask-free selective GaN growth driven by LT-GaN redistribution on patterned CrN buffers
Seongho Kang, Y.H.C. Cha, Kyu-Yeon Shim, Eojin-Gyere Ham, Do‐Hoon Kim, Dongjin Byun
IF 2.5 (2025)
Journal of Crystal Growth
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128375
Gallium nitride
Light-emitting diode
Nucleation
Nitride
Chromium nitride
Substrate (aquarium)
Surface energy
2
Article
|
인용수 1
·
2025Crystallographic Engineering of CrN Buffer Layers for GaN Thin Film Epitaxy
Kyu-Yeon Shim, Seongho Kang, Min-joo Ahn, Y.H.C. Cha, Eojin-Gyere Ham, Do‐Hoon Kim, Dongjin Byun
IF 3.7 (2025)
Materials
N(110) 상이 공존하였다. CrN 완충층 위에 증착한 저온(LT) GaN 핵형성층의 의의는 원자힘현미경과 접촉각 측정을 사용하여 평가하였다. X-선 phi 스캔 결과는 성장된 GaN의 6중 대칭성을 확인하였으며, 이는 LT-GaN 핵형성층의 기여를 한층 더 강조한다. 이러한 결과는 GaN 박막 성장의 기저 메커니즘을 이해하는 데 통찰을 제공하고, 고품질 GaN 에피택셜 필름을 얻기 위한 완충층 조건 최적화에 대한 지침을 제공한다.
https://doi.org/10.3390/ma18081817
Materials science
Epitaxy
Crystallinity
Nucleation
Thin film
Buffer (optical fiber)
Layer (electronics)
Optoelectronics
Gallium nitride
Nitride
3
Article
|
인용수 4
·
2023Selective-Area Growth Mechanism of GaN Microrods on a Plateau Patterned Substrate
Min-joo Ahn, Woo-seop Jeong, Kyu-yeon Shim, Seongho Kang, Hwayoung Kim, Dae-Sik Kim, Junggeun Jhin, Jaekyun Kim, Dongjin Byun
IF 3.1 (2023)
Materials
본 연구는, 동일한 증착 조건에서 질화알루미늄(AlN) 버퍼층을 증착한 연마된 플래토-패턴 사파이어 기판(Polished Plateau-Patterned Sapphire Substrate, PP-PSS) 위에서 질화갈륨(GaN) 선택면적성장(selective-area growth, SAG)의 메커니즘에 관한 실험적 증거를 제시한다. PP-PSS의 플래토 영역에서만, 성장 사이클의 횟수와 무관하게 GaN의 SAG가 관찰되었다. 플래토 영역의 AlN 버퍼층과 이산화규소(SiO2) 사이의 차이를 규명하기 위해, 노출된 c-면 기판 위에 간접 시료를 증착하였다. 플래토 영역의 AlN 버퍼층은 더 높은 표면 에너지를 보였으며, 그 결정 방향은 AlN [001]로 나타났다. 반대로, 플래토 영역을 제외한 다른 영역은 결정성이 나타나지 않았고 더 낮은 표면 에너지를 나타냈다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 PP-PSS를 직접 분석한 결과는 간접 시료의 결과와 유사하였다. 따라서 동일한 조건에서 증착층의 GaN SAG는 결정성, 결정 방향, 그리고 표면 에너지와 관련된다.
https://doi.org/10.3390/ma16062462
Materials science
Crystallinity
Layer (electronics)
Substrate (aquarium)
Plateau (mathematics)
Epitaxy
Electron backscatter diffraction
Transmission electron microscopy
Sapphire
Crystal (programming language)
4
Article
|
인용수 4
·
2023Fabrication method of GaN template for high-speed chemical lift-off
Woo Seop Jeong, Min Joo Ahn, Hyun-A Ko, Kyu-yeon Shim, Seongho Kang, Hwayoung Kim, Dae-Sik Kim, Junggeun Jhin, Dongjin Byun
IF 1.4 (2023)
AIP Advances
본 연구에서는 효율적인 화학 리프트오프(CLO)를 위한 질화갈륨(GaN) 템플릿 제작 방법을 개발하였다. CLO는 다른 리프트오프 방법에 비해 느리다. 공정 시간을 단축하고 식각액의 침투율을 향상시키기 위해 포토레지스트를 이용하여 공기 터널 구조를 형성하였다. 또한 삼각형(트라페조이드) 형상의 패턴 사파이어 기판 위에 질화알루미늄(AlN) 희생층을 적층하였다. AlN 희생층 위에서 GaN 에피택셜 성장이 관찰되었다. 성장된 GaN의 기본 물리적 특성은 X선 회절, 원자힘 현미경, 및 광발광(photoluminescence) 측정을 통해 조사하였다. 공기 터널 구조를 갖는 GaN 템플릿은 CLO에 의해 박리되었으며, 박리 속도는 문헌에 보고된 값보다 2.3–6.45배 더 높은 것으로 확인되었다.
https://doi.org/10.1063/5.0138850
Materials science
Fabrication
Photoresist
Gallium nitride
Epitaxy
Sapphire
Optoelectronics
Photoluminescence
Wide-bandgap semiconductor
Nitride
5
Article
|
인용수 4
·
2023Effective Chemical Lift-Off for Air-Tunnel GaN on a Trapezoid-Patterned Sapphire Substrate
Min-joo Ahn, Kyu-yeon Shim, Woo-seop Jeong, Seongho Kang, Hwayoung Kim, Seunghee Cho, Dongjin Byun
IF 3 (2023)
Micromachines
우리는 광레지스트 층의 현장(in situ) 탄화(carbonization)를 통해 질화갈륨(GaN) 층과 트라페조이드 패턴 사파이어 기판(TPSS) 사이에 공기 터널 구조를 제작하여, 신속 화학적 리프트오프(chemical lift-off, CLO)를 가능하게 하였다. 사다리꼴(trapezoid) 형상의 PSS를 사용하였는데, 이는 기판과 GaN 층 사이에 공기 터널을 형성할 때 상부의 c-plane에서 에피택셜 성장에 유리하다. 탄화 과정 동안 TPSS의 상부 c-plane을 노출시켰다. 이어서 자체 제작 금속 유기 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition) 시스템을 이용하여 선택적 GaN 에피택셜 측면(가로) 오버그로스를 수행하였다. 공기 터널은 GaN 층 아래에서 구조를 유지한 반면, GaN 층과 TPSS 사이의 광레지스트 층은 사라졌다. X선 회절을 통해 GaN의 (0002) 및 (0004) 결정 구조를 조사하였다. 공기 터널 유무에 따른 GaN 템플릿의 광발광(PL) 스펙트럼은 364 nm에서 강한 피크를 나타냈다. 공기 터널 유무에 따른 GaN 템플릿에 대한 라만 분광 결과는 자유 지지형(free-standing) GaN에 대한 결과에 비해 적색편이되었다. 칼륨 수산화물(potassium hydroxide) 용액을 이용한 CLO 공정은 공기 터널이 포함된 GaN 템플릿을 TPSS로부터 깔끔하게 분리하였다.
https://doi.org/10.3390/mi14040753
Materials science
Photoresist
Epitaxy
Chemical vapor deposition
Sapphire
Layer (electronics)
Optoelectronics
Gallium nitride
Photoluminescence
Metalorganic vapour phase epitaxy