본 연구에서는 효율적인 화학 리프트오프(CLO)를 위한 질화갈륨(GaN) 템플릿 제작 방법을 개발하였다. CLO는 다른 리프트오프 방법에 비해 느리다. 공정 시간을 단축하고 식각액의 침투율을 향상시키기 위해 포토레지스트를 이용하여 공기 터널 구조를 형성하였다. 또한 삼각형(트라페조이드) 형상의 패턴 사파이어 기판 위에 질화알루미늄(AlN) 희생층을 적층하였다. AlN 희생층 위에서 GaN 에피택셜 성장이 관찰되었다. 성장된 GaN의 기본 물리적 특성은 X선 회절, 원자힘 현미경, 및 광발광(photoluminescence) 측정을 통해 조사하였다. 공기 터널 구조를 갖는 GaN 템플릿은 CLO에 의해 박리되었으며, 박리 속도는 문헌에 보고된 값보다 2.3–6.45배 더 높은 것으로 확인되었다.

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