N(110) 상이 공존하였다. CrN 완충층 위에 증착한 저온(LT) GaN 핵형성층의 의의는 원자힘현미경과 접촉각 측정을 사용하여 평가하였다. X-선 phi 스캔 결과는 성장된 GaN의 6중 대칭성을 확인하였으며, 이는 LT-GaN 핵형성층의 기여를 한층 더 강조한다. 이러한 결과는 GaN 박막 성장의 기저 메커니즘을 이해하는 데 통찰을 제공하고, 고품질 GaN 에피택셜 필름을 얻기 위한 완충층 조건 최적화에 대한 지침을 제공한다.
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