남태욱 연구실

전자정보공학과 남태욱

전자정보공학과 연구실은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)을 중심으로 다양한 연구를 수행하고 있습니다. 최근 3년간 이 연구실은 몰리브덴의 열적 원자층 에칭, 플라즈마 강화 원자층 증착을 통한 텅스텐 필름의 성장 메커니즘 및 전기적 특성, 화학적 트래핑을 이용한 수소 차단막 등 다양한 주제에 대해 연구를 진행하였습니다. 특히, ALD 기술을 이용한 박막 트랜지스터와 이차원 소재의 응용에 대한 연구는 높은 평가를 받고 있습니다. 이러한 연구 결과는 여러 국제 저널과 학회에서 발표되었으며, 다양한 특허를 보유하고 있습니다. 연구실은 기업과의 협력을 통해 실질적인 R&D 프로젝트를 수행하고 있으며, 혁신적인 기술 개발에 기여하고 있습니다.

Atomic Layer Deposition

Molybdenum Etching

Thin-Film Transistors

대표 연구 분야

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원자층 증착을 통한 이차원 물질의 전자소자 응용

이 연구는 원자층 증착(ALD) 기술을 이용하여 이차원 물질, 특히 이황화 몰리브덴(MoS₂)과 같은 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)를 기반으로 한 전자소자를 개발하는 것을 목적으로 합니다. ALD는 원자 단위의 정밀한 두께 조절과 우수한 균일성을 제공하여, 고성능 및 고신뢰성의 전자소자 제작에 적합합니다. 특히, 이 연구는 이차원 물질의 전기적 특성 향상과 새로운 전자 소자 응용 가능성을 탐구하는 데 중점을 둡니다.

저온 원자층 증착 기반 수소 차단막 개발

이 연구는 저온 원자층 증착(ALD) 기술을 이용하여 고효율 수소 차단막을 개발하는 것을 목표로 합니다. 수소 차단막은 전자소자의 수명과 성능을 향상시키기 위해 중요한 역할을 합니다. 저온 공정은 열 민감한 기판에도 적용 가능하여 다양한 응용 분야에서 활용될 수 있습니다. 이 연구는 ALD를 통해 수소 차단 성능을 극대화하는 얇은 막을 형성하고, 이를 다양한 전자소자에 적용하는 것을 다룹니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Thermal Atomic Layer Etching of ZnO

Taewook Nam, Jonathan L. Partridge, Steven M. George

Area-selective ALD of ZnS

Taewook Nam, Steven M. George

Thermal Atomic Layer Etching of Molybdenum Using Sequential Oxidation and Deoxychlorination Reactions

Taewook Nam, Troy A. Colleran, Jonathan L. Partridge, Andrew S. Cavanagh, Steven M. George

Chemistry of Materials, 2024