이 연구는 원자층 증착(ALD) 기술을 이용하여 이차원 물질, 특히 이황화 몰리브덴(MoS₂)과 같은 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)를 기반으로 한 전자소자를 개발하는 것을 목적으로 합니다. ALD는 원자 단위의 정밀한 두께 조절과 우수한 균일성을 제공하여, 고성능 및 고신뢰성의 전자소자 제작에 적합합니다. 특히, 이 연구는 이차원 물질의 전기적 특성 향상과 새로운 전자 소자 응용 가능성을 탐구하는 데 중점을 둡니다.

이 연구는 저온 원자층 증착(ALD) 기술을 이용하여 고효율 수소 차단막을 개발하는 것을 목표로 합니다. 수소 차단막은 전자소자의 수명과 성능을 향상시키기 위해 중요한 역할을 합니다. 저온 공정은 열 민감한 기판에도 적용 가능하여 다양한 응용 분야에서 활용될 수 있습니다. 이 연구는 ALD를 통해 수소 차단 성능을 극대화하는 얇은 막을 형성하고, 이를 다양한 전자소자에 적용하는 것을 다룹니다.