서울시립대학교 | 양자·반도체 ICC
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수직 게이트를 갖는 4비트 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법
10-1030974
수직 적층된 SSL을 갖는 스타구조 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
10-1263313
Semiconductor Device And Methods Of Forming And Operation The Same
US 7928501 B2
3차원 적층형 메모리 어레이의 컨택 형성 방법
10-1250851
Multi-Hole 구조의 WL Cut 위치에 따른 WL Rs Skew 개선 방안
P20210128950
Multi-Hole 구조에서 SSL Prepulse 시간단축을 위한 SSL Neg. Disch. Control 방법
P20200144152
메모리회로에서 Word-line Leakage 전류 검출 방법
P20190023386
Electronic device for performing ranging by using ultra-wideband in wireless communication system, and method of operating the electronic device.
US Patent, 12,306,284 B2
Electronic device for performing ranging through ultra-wide band (UWB), and method for operating electronic device.
US Patent, 12,174,287 B2
Communication method and communication device.
US Patent, 11,991,527 B2
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