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전체 논문

120

111

더블 PI:PCBM 유전체 층 기반의 초 저전력 CNT 시냅틱 트랜지스터
조병진, 김용훈
Korean Journal of Materials Research, 201711

112

High-performing MoS2-embedded Si photodetector
조병진, Melvin David Kumar, Malkeshkumar Patel, 김동호, 김홍식, 김준동
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 201711

113

Wafer-Scale Integration of Highly Uniform and Scalable MoS2 Transistors
Guoqing Zhao, 김아라, 최선영, 김용훈, 조병진, 이규환, 김동호, 박주철, 이병훈, 이강은, 윤정흠, 강수철, 함명관, 임성관
ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES, 201710

114

Effect of Nb Doping on Chemical Sensing Performance of Two-Dimensional Layered MoSe2
김용훈, 조병진, 권정대, 김아라, 최선영, 정희석, 권세훈, 박주철, 김영래, 함명관
ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES, 201702

115

Electrohydrodynamic printing for scalable MoS2 flake coating: application to gas sensing device
배재현, 조병진, 임수만, 김아라, 김세현, 남재욱, 이규환, 함명관
NANOTECHNOLOGY, 201610

116

The influence of interfacial tensile strain on the charge transport characteristics of MoS2-based vertical heterojunction devices
오규환, 김정한, 박정희, 정희석, 손정인, 배태성, 홍웅기, 함명관, 조병진, 손승배, Fu Huang, 윤형중
NANOSCALE, 201609

117

Alloyed 2D Metal-Semiconductor Heterojunctions: Origin of Interface States Reduction and Schottky Barrier Lowering
김동호, 양진호, 김용훈, 최승목, 함명관, 창경은, 이규환, 권정대, 최선영, 김아라, 박주철, 조병진, 이강은, 이병훈
NANO LETTERS, 201609

118

Fabrication of Au-Decorated 3D ZnO Nanostructures as Recyclable SERS Substrates
조병진
IEEE SENSORS JOURNAL, 201605

119

Alloyed 2D Metal-Semiconductor Atomic Layer Junctions
조병진, 이병훈, 이규환, 정희석, 박상원, Pulickel, 김동재, 박주철, 김동호, 박지현, 남재욱, 함명관, 최선영, 권정대, 김아라, 최승목, 김용훈
NANO LETTERS, 201603

120

The application of conventional photolithography to microscale organic resistive memory devices
조병진, 남규현, 송성훈, 지용성, 정건영, 이탁희
Current Applied Physics, 201205