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Synaptic Device based on Resistive Switching Memory using Single-walled Carbon Nanotubes.
DongJun Jang, HyunWoo Ryu, HyeonJin Cha, Na-young Lee, YoungLae Kim, Min-Woo Kwon
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2022

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계면 트랩에 기반한 BCAT 구조 DRAM 의 로우 해머 분석.
임창영, 김연석, 권민우
전기전자학회논문지, 2023

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단일 벽 탄소 나노 튜브를 이용한 스위칭 레이어Al2O3/HfOx 기반의 멤리스터
장동준, 권민우
전기전자학회논문지, 2022