Enhanced thermoelectric performance of Cr-doped ZnSb through lattice thermal conductivity reduction below the phonon glass limit
Kang Sung Hyun, Heo Minsu, Jung Yong-Jae, Lee Jeong Min, Jeong Changhui, Koo Sang-Mo, Nam Woo Hyun, Cho Jung Young, Lee Kyu Hyoung, Kim Hyun-Sik, Shin Weon Ho
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 202410
162
Impact of Post-Deposition Annealing on Electrical Properties of RF-Sputtered Cu2O/4H-SiC and NiO/4H-SiC PiN Diodes
Lee Hyung-Jin, Moon Soo-Young, Lee Kung-Yen, Koo Sang-Mo
ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 202409
163
에어로졸 데포지션 방법으로 증착한 산화막 두께에 따른 갈륨옥사이드/실리콘 카바이드 다이오드의 전기적 특성
이현우, 최지수, 조영훈, 문수영, 이건희, 구상모
전기전자학회논문지, 202409
164
HVPE growth of Si crystal with topological chiral morphology
Mun Suhyun, Park Seonwoo, Yang Min, Cho Won Bae, Chun Young Tea, Ahn Hyung Soo, Lee Jae Hak, Kim Kyoung Hwa, Jeon Hunsoo, Lee Won Jae, Shin Myeong-Cheol, Oh Jong-Min, Shin Weon Ho, Kim Minkyung, Koo Sang-Mo, Kang Ye Hwan
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 202408
165
Vertical Variation Doping 구조를 도입한 1.2 kV 4H-SiC MOSFET 최적화
김예진, 박승현, 이태희, 최지수, 박세림, 이건희, 오종민, 신원호, 구상모
전기전자재료학회논문지, 202405
166
Si 증착 이후 형성된 게이트 산화막을 이용한 SiC MOSFET의 전기적 특성
구상모, 조영훈, 강예환, 박창준, 김지현, 이건희
전기전자학회논문지, 202403
167
"후열처리 분위기에 따른 깊은 준위결함의 변화가 Ga2O3/SiC 이종접합 다이오드에 미치는 영향 분석"
구상모, 정승환, Mathieu Jarry, 신명철
전기전자학회논문지, 202403
168
4H-SiC PiN 다이오드의 깊은 준위 결함에 따른 전기적 특성 분석
구상모, 이태희, 박세림, 김예진, 박승현, 김일룡, 김민규, 임병철
한국재료학회지, 202402
169
Growth of hexagonal-shape Si on a 4H–SiC substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy
Koo Sang-Mo, Ahn Hyung Soo, Chun Young Tea, Jang Yeon-Suk, Kim Kyoung Hwa, Lee Jae Hak, Lee Won Jae, Mun Suhyun, Park Seonwoo, Shin Myeong-Cheol, Yang Min, Yi Sam Nyung