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246

171

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
김용
Appl. Phys. Lett., 1996

172

MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평방향 성장률에 대한 CCl4 유입효과
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1996

173

Control of GaAs lateral growth rate by CBr4 during metalorganic chemical vapor deposition
김용
Applied Physics Letters - 직접입력, 1996

174

Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs
김용
Solid State Commun., 1996

175

고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적 성질에 대한 급속 열처리 효과
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1996

176

Properties of carbon-doped InGaAs grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition using CCl4
김용
J. Cryst. Growth, 1996

177

Effective carrier confinement of a short-period GaAs/AlGaAs quantum wire array
김용
Semicond. Sci. Technol., 1996

178

홀로그래픽 리소그래피에 의한 미세패턴 형성과 MOCVD 에 의한 양자세선 어레이 제작
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0
대한 전자공학회지 A 편, 1996

179

GaAs (100) 및 InGaAs (311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1996

180

Carrier life times in dielectric cap disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers
김용
Appl. Phys. Lett., 1995