Fabrication of periodically polarity-inverted ZnO films
T. Minegishi, A. Ishizawa, J. Kim, D. Kim, S. Ahn, S. Park, J. S. Park, I. Im, D. C. Oh, H. Nakano, K. Fujii, H. Jeon, T. Yao
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2008
142
Improvement in the optical and structural properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by indium predeposition
J. S. Park, Y. T Moon, D. J. Kim, N. M. Park, T. Yao
,
143
Growth of Polarity-Controlled ZnO Films on (0001) Al2O3
J. S. Park, J. H. Chang, T. Minegishi, H. J. Lee, S. H. Park, I. H. Im, T. Hanada, S. K. Hong, M. W. Cho, T. Yao
J. Electronic Materials, 2008
144
Localization of the excitonic luminescence of ZnO nano-tetrapods
M. N. Jung, S. H. Park, S. Y. Ha, S. J. Oh, Y. R. Cho, J. S. Park, I. H. Im, B. H. Koo, T. Yao, J. H. Chang
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2008
145
Lattice deformation of ZnO films with high nitrogen concentration
S. H. Park, J. H. Chang, H. J. Ko, T. Minegishi, J. S. Park, I. H. Im, M. Ito, D. C. Oh, M. W. Cho, T. Yao
Appl. Surf. Sci., 2008
146
The effect of hydrogen irradiation and annealing on the low-temperature growth of homoepitaxial ZnO layers grown on (0001) ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
S. H. Park, H. Suzuki, J. H. Chang, T. Minegishi, J. S. Park, I. H. Im, G. Fujimoto, T. Hanada, D. C. Oh, M. W. Cho, T. Yao
Appl. Surf. Sci., 2008
147
Lattice relaxation mechanism of ZnO thin films grown on c-Al2O3 substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
S. H. Park, T. Hanada, D. C. Oh, T. Minegishi, H. Goto, G. Fujimoto, J. S. Park, I. H. Im, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao, K. Inaba
Appl. Phys. Lett., 2007
148
Low-temperature growth of high-quality ZnO layers by surfactant-mediated molecular-beam epitaxy
S. H. Park, H. Suzuki, T. Minegishi, G. Fujimoto, J. S. Park, I. H. Im, D. C. Oh, M. W. Cho, T. Yao
J Cryst. Growth, 2007
149
ar-beam epitaxy
S. H. Park, H. Suzuki, T. Minegishi, G. Fujimoto, J. S. Park, I. H. Im, D. C. Oh, M. W. Cho, T. Yao
J Cryst. Growth, 2007
150
Polarity control of ZnO films on (0001)Al2O3 by Cr-compound intermediate layers
J. S. Park, S. K. Hong, T. Minegishi, S. H. Park, I. H. Im, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao