발행물
컨퍼런스
7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
2011
,
The Saturated Radiative Recombination Rate of Importance to the Efficiency Droop in InGaN-based Light-Emitting Diodes
제 4회 LED 반도체조명학회 학술대회
InGaN/GaN LED의 순방향 전류-전압 특성의 이론적 모델
제 4회 LED.반도체조명학회 학술대회
고효율 AlGaN-EBL-free LED 구조의 설계 및 특성평가
제 4회 LED.반도체조명학회 국내학술대회
Understanding of the temperature dependent electroluminescence in InGaN light emitting diodes
InGaN/GaN 발광 다이오드의 온도 변화에 따른 Carrier Localization, Radiative life-time과 내부양자효율의 관계